[发明专利]AMOLED显示器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种AMOLED显示器件及其制备方法，该AMOLED显示器件的制备方法包括在衬底基板上的涂覆光刻胶并进行刻蚀形成阻挡块，阻挡块围成透光区，透光区的纵向截面为倒梯形；在衬底基板形成透光区的端面上依次涂覆有机层和金属层；使用具有粘附层的治具对处于透光区内的膜层进行剥离。本发明提供的AMOLED显示器件的制备工艺简单，通过单独去除屏下摄像头区域的膜层，实现屏体不同区域对光线透过率的要求，在确保显示区域维持正常的显示性能的同时提高屏下摄像区域的高透性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种AMOLED显示器件及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的快速发展和电子设备普及率的提高，用户对手机显示设备屏幕的屏占比的要求也越来越高。市面上出现如珍珠屏、水滴屏、打孔屏、盲孔屏等各种类型的显示屏，目的是使得手机显示屏在达到更高屏占比的同时也能获取一个更好的显示效果。然而在实际应用中，屏下摄像头所在区域的光线透过率低，从而影响了拍照效果，无法满足消费者对前置摄像头拍照效果的高要求。

行业内一般采用以下三种方式提高屏下摄像头区域的光线透过率：1.通过减薄屏下区域的玻璃厚度来提高透光率，但是该工艺对玻璃的强度要求较高，同时对靠近屏下摄像头的边缘位置进行处理的难度大，容易产生不良品从而进一步增加生产成本；2.采用镭射技术去除屏下摄像头区域的金属膜层和有机膜层来提高透光率，但是该技术较为复杂并且需要对常规蒸镀设备进行改造并增加腔室，工艺成本高；3.通过掩膜版遮挡的方式去除屏下摄像头区域的金属材料来提高透光率，但该方式损耗高、良品率低。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，一方面，本发明提供一种AMOLED显示器件的制备方法，所述制备方法包括在所述衬底基板上的涂覆光刻胶并进行刻蚀形成阻挡块，所述阻挡块围成所述透光区，所述透光区的纵向截面为倒梯形；在所述衬底基板形成所述透光区的端面上依次涂覆有机层和金属层；使用具有粘附层的治具对处于所述透光区内的膜层进行剥离。

进一步地，所述治具与所述透光区的接触面积不大于所述透光区的面积。

进一步地，所述透光区内的膜层包括有机层、阴极层和光提取层。

进一步地，所述制备方法包括以下步骤：

S1:在所述衬底基板上的显示区域完成低温多晶硅图案制备后，在所述衬底基板上的非显示区域涂覆光刻胶并进行刻蚀形成形成阻挡块，所述阻挡块围成所述透光区；

S2:在所述衬底基板形成所述透光区的端面上依次涂覆有机层和金属层；

S3:使用具有粘附层的治具对处于所述透光区内的所述膜层进行剥离；

S4:对所述衬底基板依次进行封装、切割。

进一步地，步骤S3包括:将所述治具的粘附层与所述透光区进行对位，所述治具的粘附层对所述透光区内部的所述膜层进行剥离。

另一方面，本发明提供一种AMOLED显示器件，所述AMOLED显示器件由上述制备方法制得。

进一步地，所述AMOLED显示器件包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的膜层数量及金属含量小于所述显示区域。

进一步地，所述非显示区域不含阴极层。

进一步地，所述非显示区域不含有阴极层和光提取层。

进一步地，所述AMOLED显示器件包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的膜层厚度小于所述显示区域，所述非显示区域不含有机层、阴极层和光提取层。