[发明专利]AMOLED显示器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210227029.8 | 申请日： | 2022-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN114864854A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 郭晓霞;刘荣;吴远焕;李伟界 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 唐超 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种AMOLED显示器件的制备方法，在衬底基板上设有透光区，其特征在于，所述制备方法包括：
在所述衬底基板上的涂覆光刻胶并进行刻蚀形成阻挡块，所述阻挡块围成所述透光区，所述透光区的纵向截面为倒梯形；
在所述衬底基板形成所述透光区的端面上依次涂覆有机层和金属层；
使用具有粘附层的治具对处于所述透光区内的膜层进行剥离。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述治具与所述透光区的接触面积不大于所述透光区的面积。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透光区内的膜层包括有机层、阴极层、光提取层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1:在所述衬底基板上的显示区域完成低温多晶硅图案制备后，在所述衬底基板上的非显示区域涂覆光刻胶并进行刻蚀形成形成阻挡块，所述阻挡块围成所述透光区；
S2:在所述衬底基板形成所述透光区的端面上依次涂覆有机层和金属层；
S3:使用具有粘附层的治具对处于所述透光区内的膜层进行剥离；
S4:对所述衬底基板依次进行封装、切割。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S3包括:将所述治具的粘附层与所述透光区进行对位，所述治具的粘附层对所述透光区内部的所述膜层进行剥离。
6.一种AMOLED显示器件，其特征在于，所述AMOLED显示器件由权利要求1-5任一项所述的制备方法制得。
7.根据权利要求6所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述AMOLED显示器件包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的膜层数量及金属含量小于所述显示区域。
8.根据权利要求7所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述非显示区域不含阴极层。
9.根据权利要求7所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述非显示区域不含阴极层和光提取层。
10.根据权利要求6所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述AMOLED显示器件包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域的膜层厚度小于所述显示区域，所述非显示区域不含有机层、阴极层和光提取层。
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