[发明专利]一种涂布液、减反射薄膜及其制备方法在审
| 申请号: | 202210226536.X | 申请日: | 2022-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN114774002A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 孙武 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号: | C09D201/00 | 分类号: | C09D201/00;C09D7/61;B32B33/00;B32B27/36;B32B27/06 |
| 代理公司: | 苏州集律知识产权代理事务所(普通合伙) 32269 | 代理人: | 安纪平;王晶 |
| 地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 涂布液 反射 薄膜 及其 制备 方法 | ||
本发明揭示了一种涂布液、减反射薄膜及其制备方法,涂布液包括5%~10%的树脂、1%~2.5%的硅酸锂溶胶、0.5%~1.5%的固化剂和88.5%~92%的水。该涂布液形成的涂层及利用该涂布液制备的减反射薄膜具有透明性好、透过率高、减反射效果好等优点。
技术领域
本发明涉及薄膜技术领域,尤其涉及一种应用于薄膜上的涂布液、使用该涂布液制成的减反射薄膜以及制备该减反射薄膜的方法。
背景技术
功能性薄膜,如抗静电薄膜等等,是包装材料中不可或缺的材料,具有十分重要的地位。在包装时,使用抗静电薄膜来包装产品,可避免造成产品因静电而带来的损坏。
目前,抗静电薄膜主要通过以下两种方式制备,一种是通过共挤的方式制备,一种是通过涂覆抗静电剂或涂覆聚噻吩导电液制备。其中,通过共挤方式制备的抗静电薄膜为三层聚酯薄膜,其为ABA三层结构,A为表层,具有90%~96%的聚酯切片(包含微米级SiO2粒子)和4%~10%的抗静电剂,B为芯层,其具有97%~99.5%的聚酯切片和0.5~3%的抗静电剂。通过添加高浓度抗静电剂,抗静电剂可部分向薄膜表面迁移,使薄膜具有长期的抗静电作用。然而,此种制备方式中,需要将抗静电剂与含微米级SiO2聚酯粒子共混做成母粒,然后与纯聚酯母粒一起经280℃高温熔融后挤出成型在聚酯薄膜表面。该方法由于抗静电成分需耐高温,且通过迁移到聚酯薄膜表面来实现抗静电性能,所以可选择种类少,抗静电性能差且薄膜光学性能较差。
在通过涂覆抗静电剂或涂覆聚噻吩导电液制备中,通过将涂布液涂布于含有微米级SiO2爽滑粒子的聚酯薄膜的表面,并使该表面上的涂布液干燥,以在聚酯薄膜上形成涂层。然而,涂布透明抗静电剂,透过率93%,无法达到超高透明度,减反射效果差;涂布聚噻吩导电液,聚噻吩成淡蓝色,无法满足无色透明要求。且透过率93%,减反射效果差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种涂布液,其所形成的涂层具备透明性好、透过率高、减反射效果好的优点。同时,还提供一种使用该涂布液制成的减反射薄膜以及制备该减反射薄膜的方法。
为实现上述目的,本发明提出一种涂布液,按质量百分比计,所述涂布液包括:
5%~10%的树脂;
1%~2.5%的硅酸锂溶胶;
0.5%~1.5%的固化剂;
88.5%~92%的水。
优选地,所述硅酸锂溶胶选自一硅酸锂溶胶、二硅酸锂溶胶、五硅酸锂溶胶中的一种或多种复配。
优选地,所述树脂包括阴离子透明抗静电树脂。
本发明还揭示了一种减反射薄膜,所述减反射薄膜包括:
基材;
减反射涂层,所述反射涂层设于所述基材的至少一表面,且所述减反射涂层由上述所述的涂布液形成。
优选地,所述基材包括纳米母料和PET白切片,所述纳米母料和PET白切片的质量比为(0.05~0.15):1。
优选地,所述纳米母料为含有纳米级二氧化硅颗粒的聚酯混合母料。
优选地,所述纳米母料为含有微粒填料的母料,所述微粒填料的平均直径为0.01~0.05μm。
优选地,所述基材包括三层共挤薄膜,所述三层共挤薄膜为ABA结构,其中,A为表层,B为芯层,所述表层包括纳米母料和PET白切片,所述纳米母料和PET白切片的质量比为(0.05~0.15):1,所述芯层为PET白切片。
本发明还揭示了一种制备减反射薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
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