[发明专利]微影系统和用于检测微影系统中碎屑的方法

说明书

一种微影系统和用于检测微影系统中碎屑的方法，极紫外(EUV)微影系统侦测自EUV产生腔室行进至扫描仪的碎屑。微影系统包含侦测光源及感测器。侦测光源输出穿过来自该EUV产生腔室的碎屑粒子行进路径的侦测光。感测器通过侦测碎屑粒子与侦测光的相互作用来感测碎屑粒子。

技术领域

本揭露关于一种微影系统和用于检测微影系统中碎屑的方法。

背景技术

对增加包含智能电话、平板计算机、桌上型计算机、膝上型计算机及许多其他种类的电子装置的电子装置的计算能力有持续的需求。集成电路为这些电子装置提供计算能力。增加集成电路中的计算能力的一种方式为增加对于半导体基板的给定面积可以包含的晶体管及其他集成电路特征的数目。

集成电路中的特征部分地在微影术的帮助下产生。传统的微影技术包含产生罩幕，该罩幕勾勒出待在集成电路晶粒上形成的特征的图案。微影光源通过罩幕辐照集成电路晶粒。可以经由集成电路晶粒的微影产生的特征的尺寸在下端上部分地受到由微影光源产生的光的波长的限制。较小波长的光可以产生较小的特征尺寸。

归因于EUV光的波长相对较短，因此使用极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光来产生特别小的特征。例如，EUV光通常通过用激光束辐照选择的材料的液滴来产生。来自激光束的能量使液滴进入电浆状态。在电浆状态下，液滴发射EUV光。EUV光朝向具有椭圆或抛物线表面的收集器行进。收集器将EUV光反射至扫描仪。扫描仪经由倍缩光罩用EUV光照射靶材。然而，归因于将自倍缩光罩转移至集成电路的特征尺寸很小，若即使极小的粒子或碎屑落在倍缩光罩上，则亦可能破坏微影制程，且所得的集成电路将不为功能性的。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种用于检测微影系统中碎屑的方法包括以下步骤：通过用一激光照射多个液滴，在一极紫外光产生腔室中自该些液滴产生极紫外光；将来自该极紫外光产生腔室的该极紫外光引导至一扫描仪；输出一侦测光；及基于多个碎屑粒子与该侦测光的相互作用来侦测自该极紫外光产生腔室行进的该些碎屑粒子。

根据本揭露的一些实施例，一种用于检测微影系统中碎屑的方法包括以下步骤：在一极紫外光产生腔室中产生极紫外光；用该极紫外光对一晶圆执行一微影制程；通过在该极紫外光产生腔室的一孔附近发射一侦测光且感测该侦测光与多个碎屑粒子的相互作用来侦测自该极紫外光产生腔室行进的该些碎屑粒子。

根据本揭露的一些实施例，一种微影系统包括：一极紫外光产生腔室；一极紫外光产生设备，其用以在该极紫外光产生腔室中产生极紫外光；一扫描仪，其耦接至该极紫外光产生腔室且用以接收来自该极紫外光产生腔室的该极紫外光；一侦测光源，其用以在一孔附近输出一侦测光；及一光感测器，其用以通过侦测多个碎屑粒子与该侦测光的相互作用来侦测来自该极紫外光产生腔室的该些碎屑粒子。

附图说明

图1为根据一些实施例的EUV微影系统的方块图；

图2A及图2B为根据一些实施例的EUV微影系统的图示；

图3A及图3B为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑侦测系统的图示；

图4为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑侦测系统的图示；

图5为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑侦测系统的图示；

图6A至图6C为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑侦测系统的图示；

图7为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑防止系统的图示；

图8为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪内的碎屑防止系统的图示；

图9为根据一些实施例的EUV微影系统的扫描仪的图示；

图10为根据一些实施例的碎屑粒子的发射线图；