[发明专利]线栅偏振器的线侧壁保护在审

专利信息
申请号: 202210219749.X 申请日: 2022-03-08
公开(公告)号: CN115079325A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 卫永毅;R·S·尼尔森 申请(专利权)人: 莫克斯泰克公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 蔡悦
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 偏振 侧壁 保护
【权利要求书】:

1.一种线栅偏振器,包括:

基板和所述基板上的多条线;

每对相邻的线之间的通道;

每条线具有更靠近所述基板的近端;

每条线具有更远离所述基板的远端;

在每条线的两个相对侧中的每一侧上的侧壁,每个侧壁面向所述通道并且从所述近端延伸到所述远端;

每一侧壁上具有保护层,所述线被夹在一对保护层之间;

所述一对保护层通过所述远端上没有保护层的区域彼此分开;

所述保护层包括金属氧化物、氨基膦酸盐或两者;

每一层保护层的最大厚度是25nm,所述厚度是在测量位置垂直于所述侧壁测量的;

每条线具有更靠近所述近端的下层和更靠近所述远端的上层;

所述上层比所述下层更耐水腐蚀、更抗氧化或两者兼具;以及

所述基板、所述一对保护层和所述上层环绕所述下层。

2.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中每一层保护层邻接所述线的相应侧壁。

3.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更耐水腐蚀。

4.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更抗氧化。

5.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更耐水腐蚀并且更抗氧化。

6.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述下层包括锗、铝或两者。

7.根据权利要求6所述的线栅偏振器,其中所述上层包括硅。

8.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述通道中的所述基板没有所述保护层。

9.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中每一层保护层包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧化铪、氧化锆或其组合。

10.根据权利要求1所述的线栅偏振器,还包括:

在所述线的所述远端的疏水层,所述疏水层包括化学式(1)、化学式(2)或其组合:

其中r是正整数,每个R1独立地是疏水基团,X是与所述线接合的键,每个R3独立地是化学元素或基团;并且

所述疏水层是保形层,所述疏水层邻接所述线的所述远端,并且每一层保护层被夹在所述疏水层与所述线之间。

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