[发明专利]线栅偏振器的线侧壁保护在审
| 申请号: | 202210219749.X | 申请日: | 2022-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN115079325A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
| 发明(设计)人: | 卫永毅;R·S·尼尔森 | 申请(专利权)人: | 莫克斯泰克公司 |
| 主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 蔡悦 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振 侧壁 保护 | ||
1.一种线栅偏振器,包括:
基板和所述基板上的多条线;
每对相邻的线之间的通道;
每条线具有更靠近所述基板的近端;
每条线具有更远离所述基板的远端;
在每条线的两个相对侧中的每一侧上的侧壁,每个侧壁面向所述通道并且从所述近端延伸到所述远端;
每一侧壁上具有保护层,所述线被夹在一对保护层之间;
所述一对保护层通过所述远端上没有保护层的区域彼此分开;
所述保护层包括金属氧化物、氨基膦酸盐或两者;
每一层保护层的最大厚度是25nm,所述厚度是在测量位置垂直于所述侧壁测量的;
每条线具有更靠近所述近端的下层和更靠近所述远端的上层;
所述上层比所述下层更耐水腐蚀、更抗氧化或两者兼具;以及
所述基板、所述一对保护层和所述上层环绕所述下层。
2.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中每一层保护层邻接所述线的相应侧壁。
3.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更耐水腐蚀。
4.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更抗氧化。
5.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述上层比所述下层更耐水腐蚀并且更抗氧化。
6.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述下层包括锗、铝或两者。
7.根据权利要求6所述的线栅偏振器,其中所述上层包括硅。
8.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中所述通道中的所述基板没有所述保护层。
9.根据权利要求1所述的线栅偏振器,其中每一层保护层包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧化铪、氧化锆或其组合。
10.根据权利要求1所述的线栅偏振器,还包括:
在所述线的所述远端的疏水层,所述疏水层包括化学式(1)、化学式(2)或其组合:
其中r是正整数,每个R1独立地是疏水基团,X是与所述线接合的键,每个R3独立地是化学元素或基团;并且
所述疏水层是保形层,所述疏水层邻接所述线的所述远端,并且每一层保护层被夹在所述疏水层与所述线之间。
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