[发明专利]一种同时检测AFB1和ZEN的双靶适配体传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种同时检测AFB1和ZEN的双靶适配体传感器，其特征在于：包含AFB1适配体DNA1、ZEN适配体DNA2以及金电极，所述DNA1采用硫堇、纳米金进行标记形成DNA1-AuNPs-Thi适配体功能化探针，所述DNA2采用6-(二茂铁基)己硫醇、纳米金进行标记形成DNA2-AuNPs-FC6S适配体功能化探针，所述金电极的表面引入二硫化钼-还原性氧化石墨烯，标记后的双靶适配体功能化探针通过金硫键固定于电极表面。

2.一种如权利要求1所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)适配体标记处理：将DNA1、DNA2两种适配体分别与纳米金分散液混匀6～8h，离心弃上清后分散于TE缓冲液，在DNA1-AuNPs中加入Thi，在DNA2-AuNPs中加入FC6S，继续混匀6～8h，再次离心弃上清后分散于TE缓冲液得到：DNA1-AuNPs-Thi和DNA2-AuNPs-FC6S；

(2)金电极表面处理：采用铝粉抛光金电极后用超纯水清洗，然后分别在超纯水和无水乙醇中进行超声处理，再用氮气干燥，将处理过的电极放置在pH 7.5的KCl、[Fe(CN)₆]^3-/4-混合溶液中，使用循环伏安法测试电极的预处理效果，扫描范围：-0.1-0.6V；扫描速度：100mV/s，预处理AuE的CV曲线的峰值电位差低于100mV，进行下一步处理，将5μL的MoS₂-rGO滴加在电极表面并在37℃下放置2h；

(3)通过金硫键将适配体组装在电极表面：将5μL的DNA1-AuNPs-Thi和5μL的DNA2-AuNPs-FC6S分别滴加到MoS₂-rGO/AuE表面，并于36～40℃下孵育2～4h，然后在电极表面滴加5μL的MCH以封闭非特异性结合位点，即可获得适配体传感器。

3.如权利要求2所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于：所述DNA1-AuNPs-Thi中，Thi:AuNPs:DNA1的体积比为：1:6:6。

4.如权利要求2所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于：所述DNA2-AuNPs-FC6S中，FC6S:AuNPs:DNA2的体积比为：2:3:3。

5.如权利要求2所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于，所述纳米金分散液的制备过程为：将1mL浓度为1％的氯金酸和99mL的超纯水混合后搅拌，放在加热炉上加热至沸腾，保持搅拌状态下加入2.5mL浓度为1％的柠檬酸钠，继续加热10min-15min，直至溶液由灰色变为稳定的酒红色，自然搅拌冷却至室温后离心洗涤，最后恢复至原体积，即可得到纳米金分散液。

6.如权利要求2所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于，所述KCl、[Fe(CN)₆]^3-/4-混合溶液中，KCl的浓度为0.1M，[Fe(CN)₆]^3-/4-的浓度为5mM。

7.如权利要求2所述的同时检测AFB1和ZEN的适配体传感器的制备方法，其特征在于，所述MoS₂-rGO的制备过程为：将30mg氧化石墨烯和0.4g钼酸钠分散到30ml超纯水中，并超声分散30min以获得均匀的混合物，然后向混合溶液中添加0.63g硫脲继续超声分散30min，将所得混合溶液转移到50mL聚四氟乙烯内衬不锈钢高压反应釜中，在180℃下加热12h，待冷却至室温后，用乙醇和超纯水以13000rpm/min离心10min，反复清洗混合物3次，以去除未反应的部分，最后，在65℃下干燥所得混合物，然后将其分散在超纯水中即得到MoS₂-rGO分散液。