[发明专利]一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺

权利要求书

1.一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)以激光照射废料或良品芯片下方的承载膜，使废料或良品芯片下方的承载膜的胶层分解，完全失去粘性或失去部分粘性；

(2)当废料或良品芯片下方的承载膜完全失去粘性，则废料或良品芯片直接从承载膜上脱落；当废料或良品芯片下方的承载膜失去部分粘性且仍附着在承载膜上，对承载膜或废料或良品芯片施加作用力，使废料或良品芯片从承载膜上脱落。

2.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述步骤(1)中，使用1064nm波段激光器照射废料或良品芯片下方的承载膜，使废料或良品芯片与承载膜之间完全失去粘性或失去部分粘性。

3.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述步骤(1)中，使用355nm紫外激光器照射废料或良品芯片下方的承载膜，使废料或良品芯片与承载膜之间完全失去粘性或失去部分粘性。

4.根据权利要求2或3所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述承载膜为UV膜、蓝膜或绿膜。

5.根据权利要求2或3所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述激光器的功率为5W～50W，照射时间为0.05秒～0.5秒。

6.根据权利要求2或3所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述激光器包括激光发生器和振镜。

7.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述步骤(2)中，振动承载膜，或者用真空吸嘴吸取废料，或者用气枪吹废料，使废料从承载膜上脱落。

8.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述步骤(2)中，振动承载膜，或者用真空吸嘴吸取良品芯片，或者用气枪吹良品芯片，使良品芯片从承载膜上脱落。

9.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，在所述步骤(1)之前，还包括通过机器视觉系统识别废料或良品芯片。

10.根据权利要求1所述的一种将半导体封装良品芯片与废料分离的工艺，其特征在于，所述废料包括不良品芯片和切割飞边。