[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

本发明提供晶片封装体及其制造方法，上述方法包括提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有一晶片区及围绕晶片区的一切割道区，基底的上表面上具有一介电层。形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有一第一开口露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸而围绕晶片区。对第一开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成一第二开口位于第一开口正下方。去除掩膜层以露出具有第二开口的介电层，以及经由第二开口对基底进行一切割制程。由此，可防止预切割制程期间介电层因机械或热应力而产生碎片、破裂或其他类型的缺陷。

技术领域

本发明有关于一种封装技术，特别为有关于一种晶片封装体及其制造方法。

背景技术

光电元件(例如，影像感测装置)在撷取影像等应用中扮演着重要的角色，其已广泛地应用于例如数字相机(digital camera)、数字录影机(digital video recorder)、手机(mobile phone)等电子产品中，而晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将感测晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供感测晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

在上述晶片封装体的制造期间，通过激光制程与切割刀(dicing saw)制程来进行单体化(singulation)而形成单独的晶片封装体。然而，晶圆上的介电材料层(例如，低k值介电材料)通常为脆性(brittleness)、缺乏机械强度且对热应力敏感。因此上述单体化制程期间容易造成低k值介电材料内产生碎片(debris)、破裂、粗糙侧壁或其他类型的缺陷，因而降低晶片封装体的良率。

因此，有必要寻求一种新颖的晶片封装体的制造方法，其能够解决或改善上述的问题。

发明内容

根据一些实施例，提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有一晶片区及围绕晶片区的一切割道区，其中基底的上表面上具有一介电层；形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸而围绕晶片区的一第一开口；对第一开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成位于第一开口正下方的一第二开口；去除掩膜层，以露出具有第二开口的介电层；以及经由第二开口对基底进行一切割制程。

根据一些实施例，提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有相邻的第一及第二晶片区以及围绕第一及第二晶片区的一切割道区，其中基底的上表面上具有一介电层；形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸的第一及第二开口，以各自围绕第一及第二晶片区；对第一及第二开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成各自位于第一及第二开口正下方的第三及第四开口；依序对掩膜层及介电层进行一第一切割制程，以形成围绕第一及第二晶片区且位于第三开口与第四开口之间的一第五开口；去除掩膜层，以露出具有第五开口的介电层；以及经由第五开口对基底进行一第二切割制程。

根据一些实施例，提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一上表面及一下表面，且具有相邻的第一及第二晶片区以及围绕第一及第二晶片区的一切割道区，其中基底的上表面上具有一介电层；形成于一掩膜层于基底上方，以覆盖介电层，其中掩膜层具有露出介电层并沿切割道区延伸方向延伸的第一及第二开口，以各自围绕第一及第二晶片区；对第一及第二开口正下方的介电层进行一蚀刻制程，以在介电层内形成各自位于第一及第二开口正下方的第三及第四开口；依序对掩膜层、介电层及基底进行一切割制程，以形成围绕第一及第二晶片区且位于第三开口与第四开口之间的一第五开口，其中第五开口具有位于基底内的一底部；以及自基底的下表面对基底进行一薄化制程直至露出第五开口。