[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体的制造方法，包括：

提供基底，该基底具有上表面及下表面，且具有晶片区及围绕该晶片区的切割道区，其中该基底的该上表面上具有介电层；

形成于掩膜层于该基底上方，以覆盖该介电层，其中该掩膜层具有露出该介电层并沿该切割道区延伸方向延伸而围绕该晶片区的第一开口；

对该第一开口正下方的该介电层进行蚀刻制程，以在该介电层内形成位于该第一开口正下方的第二开口；

去除该掩膜层，以露出具有该第二开口的该介电层；以及

经由该第二开口对该基底进行切割制程。

2.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其中，在进行该蚀刻制程之前，该第一开口正下方的该介电层具有自该介电层的上表面延伸至该介电层的下表面的无金属区。

3.如权利要求2所述的晶片封装体的制造方法，其中，该介电层内具有对准于该切割道区且邻近于该无金属区的至少一金属层。

4.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其中，该基底的该晶片区内包括邻近于该基底的该上表面的感测装置。

5.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其中，该掩膜层包括光致抗蚀剂层。

6.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其中，该蚀刻制程包括干式或湿式蚀刻制程。

7.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其中，使用切割刀具进行该切割制程。

8.如权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，还包括自该基底的该下表面对该基底进行薄化制程。

9.如权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其中，在去除该掩膜层之后且在进行该切割制程之前进行该薄化制程。

10.一种晶片封装体的制造方法，包括：

提供基底，该基底具有上表面及下表面，且具有相邻的第一晶片区及第二晶片区以及围绕该第一晶片区及该第二晶片区的切割道区，其中该基底的该上表面上具有介电层；

形成于掩膜层于该基底上方，以覆盖该介电层，其中该掩膜层具有露出该介电层并沿该切割道区延伸方向延伸的第一开口及第二开口，以各自围绕该第一晶片区及该第二晶片区；

对该第一开口及该第二开口正下方的该介电层进行蚀刻制程，以在该介电层内形成各自位于该第一开口及该第二开口正下方的第三开口及第四开口；

依序对该掩膜层及该介电层进行第一切割制程，以形成围绕该第一晶片区及该第二晶片区且位于该第三开口与该第四开口之间的第五开口；

去除该掩膜层，以露出具有该第五开口的该介电层；以及

经由该第五开口对该基底进行第二切割制程。

11.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，该介电层内具有对准于该切割道区的至少一金属层，且一部分的该金属层于该第一切割制程进行期间被去除。

12.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，该基底的该第一晶片区及该第二晶片区内各自包括邻近于该基底的该上表面的感测装置。

13.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，该掩膜层包括光致抗蚀剂层。

14.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，该蚀刻制程包括干式或湿式蚀刻制程。

15.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，使用切割刀具进行该第一切割制程。

16.如权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其中，使用切割刀具进行该第二切割制程。