[发明专利]导电结构及其制造方法有效
| 申请号: | 202210202880.5 | 申请日: | 2022-03-02 | 
| 公开(公告)号: | CN114613724B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 | 
| 发明(设计)人: | 陈俊铭 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48 | 
| 代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 李蓉 | 
| 地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种导电结构的制造方法,包含:对一基板进行一钻孔步骤,以在所述基板形成至少一通孔;对所述基板进行一清洗步骤;在所述基板上、下表面与所述至少一通孔内形成一固化的导电材料,其中所述固化的导电材料自所述基板上、下表面延伸至所述至少一通孔内,且填满所述至少一通孔;对所述基板进行一第一电镀制程,以形成一第一增厚层完全包覆所述固化的导电材料;对所述基板进行一第二电镀制程,以形成一第二增厚层完全包覆所述第一增厚层;以及对所述基板进行一黑化制程,以形成一黑化层完全包覆所述第二增厚层。
技术领域
本发明有关于一种显示器的制造方法,尤其指一种用于透明显示器的导电结构及其制造方法。
背景技术
在现有导电结构制程中,通孔搭接多是在基板钻孔后进行化镀与电镀填孔,并搭配图案化制程的生产流程。导电结构的感测器(sensor)需求主要为双面导电层,一般是利用二次电镀制程增厚表面金属铜层(8μm+8μm)以降低金属阻抗,并藉由通孔化镀制程使正反金属层经由通孔进行电性搭接导通。
请参考图1,图1绘示现有技术中导电结构制造方法的流程图。如图1所示,现有技术的导电结构制程包含步骤S1~S12,说明如下。步骤S1针对基板进行清洗;步骤S2在基板溅镀一层导电性佳的金属膜;步骤S3在步骤S2的金属膜上进行第一次电镀以形成第一金属铜层;步骤S4在基板形成通孔;步骤S5在通孔进行化学镀,以形成一化学镀层;步骤S6进行第二次电镀以在第一金属铜层上与通孔内形成第二金属铜层;步骤S7进行一干膜制程;步骤S8(曝光)、步骤S9(显影)、步骤S10(蚀刻)依序进行一图案化制程;步骤S11进行一去膜制程;步骤S12进行一黑化制程。
然而,图1所示的现有导电结构制程存在着一些问题。例如,因应金属层厚度需求而普遍使用两次电镀制程,且电镀前底层需先行溅镀一层导电性佳的金属膜,故底层金属存在视效反光问题。另外,现有导电结构的电极材料主要为铟锡氧化物(ITO)、半穿反金属、或金属线。然而,铟锡氧化物(ITO)有阻抗过高问题;金属线有反光问题;半穿反金属虽可解决上述问题,但制做难度高导致成本昂贵。再者,现有导电结构制程也存在着工序繁琐的问题。
综上所述,如何提供一个能解决上述问题且更简化的导电结构制造方法,乃是业界所需思考的重要课题。
发明内容
鉴于上述内容,本发明的一态样为提供一种导电结构的制造方法,包含:对一基板进行一钻孔步骤,以在所述基板形成至少一通孔;对所述基板进行一清洗步骤;在所述基板上、下表面与所述至少一通孔内形成一固化的导电材料,其中所述固化的导电材料以大体上均一的厚度自所述基板上、下表面延伸至所述至少一通孔内,未填满所述至少一通孔;对所述基板进行一第一电镀制程,以形成一第一增厚层,延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述固化的导电材料;对所述基板进行一第二电镀制程,以形成一第二增厚层,延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述第一增厚层;以及对所述基板进行一黑化制程,以形成一黑化层,延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述第二增厚层。
根据本发明的一个或多个实施方式,其中所述固化的导电材料由银、铜或碳的浆料构成。
根据本发明的一个或多个实施方式,其中所述固化的导电材料的光学浓度(OD值)大于3,而可见光全波段反射率小于70。
根据本发明的一个或多个实施方式,其中所述固化的导电材料的形成方法包含网印、喷印、电镀、化镀或蒸镀其中之一或者其组合。
根据本发明的一个或多个实施方式,其中所述固化的导电材料依序经由一第一次网印碳浆制程、一第一次烘烤制程、一第二次网印碳浆制程以及一第二次烘烤制程而制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





