[发明专利]导电结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210202880.5 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114613724B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈俊铭 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 李蓉 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电结构的制造方法，其特征在于，包含：
对一基板进行一钻孔步骤，以在所述基板形成至少一通孔；
对所述基板进行一清洗步骤；
在所述基板上、下表面与所述至少一通孔内形成一固化的导电材料，其中所述固化的导电材料以大体上均一的厚度自所述基板上、下表面延伸至所述至少一通孔内，未填满所述至少一通孔；
对所述基板进行一第一电镀制程，以形成一第一增厚层，延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述固化的导电材料；
对所述基板进行一第二电镀制程，以形成一第二增厚层，延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述第一增厚层；以及
对所述基板进行一黑化制程，以形成一黑化层，延伸至所述至少一通孔内且完全包覆所述第二增厚层。
2.如权利要求1所述的导电结构的制造方法，其特征在于，其中所述固化的导电材料由银、铜或碳的浆料构成。
3.如权利要求1所述的导电结构的制造方法，其特征在于，其中所述固化的导电材料的光学浓度大于3，而可见光全波段反射率小于70。
4.如权利要求1所述的导电结构的制造方法，其特征在于，其中所述固化的导电材料的形成方法包含网印、喷印、电镀、化镀或蒸镀其中之一或者其组合。
5.如权利要求1所述的导电结构的制造方法，其特征在于，其中所述固化的导电材料依序经由一第一次网印碳浆制程、一第一次烘烤制程、一第二次网印碳浆制程以及一第二次烘烤制程而制成。
6.一种导电结构，其特征在于，包括：
一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，所述基板的所述上表面与所述下表面的间形成有至少一通孔；
一固化的导电材料，配置于所述基板与所述至少一通孔内，其中所述固化的导电材料以大体上均一的厚度自所述基板的所述上、下表面延伸至所述至少一通孔内，未填满所述至少一通孔；
一第一增厚层，覆盖于所述固化的导电材料；以及
一第二增厚层，覆盖于所述第一增厚层。
7.一种导电结构，其特征在于，包括：
一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，所述基板的所述上表面与所述下表面的间形成有至少一通孔；
一固化的导电材料，配置于所述基板与所述至少一通孔内，其中所述固化的导电材料自所述基板上、下表面延伸至所述至少一通孔内，并填满所述至少一通孔；
一第一增厚层，覆盖于所述固化的导电材料；以及
一第二增厚层，覆盖位于所述基板的所述上、下表面的所述第一增厚层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
