[发明专利]三维存储器及其制作方法以及存储器系统

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

沿垂直于衬底的方向层叠设置的至少两个存储阵列；

每个所述存储阵列包括：

堆叠结构，所述堆叠结构包括顶部选择栅，所述顶部选择栅位于所述堆叠结构相对远离所述衬底的一侧；

贯穿所述堆叠结构的多个沟道柱；

隔断所述顶部选择栅的顶部选择栅切线；其中，沿平行于所述衬底的方向，所述顶部选择栅切线位于相邻两个所述沟道柱之间；

其中，所述至少两个存储阵列中的相互层叠设置的所述沟道柱电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

导电部，位于相邻的两个所述存储阵列之间，用于电连接层叠设置的两个所述沟道柱。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述至少两个存储阵列中的顶部选择栅切线的投影重叠。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

所述堆叠结构还包括交替堆叠设置的栅极层和绝缘层；其中，所述绝缘层电隔离所述顶部选择栅与相邻的所述栅极层；

所述存储阵列还包括虚拟沟道柱，贯穿所述交替设置的栅极层和绝缘层，且位于所述顶部选择栅切线下方。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储阵列还包括：

至少两个栅缝隙结构，所述至少两个栅缝隙结构平行设置，每个所述栅缝隙结构均贯穿所述堆叠结构，相邻的两个所述栅缝隙结构之间设置有至少一个所述顶部选择栅切线；其中，所述栅缝隙结构与所述顶部选择栅切线之间设置有所述沟道柱。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，

相邻两个所述栅缝隙结构之间的所述沟道柱以阵列方式周期排列；

所述顶部选择栅切线与所述栅缝隙结构将所述阵列均分成子阵列，每个所述子阵列具有相同排数的沟道柱。

7.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道柱包括沟道层以及环绕沟道层的功能层；其中，相邻的两个所述存储阵列中相互层叠设置的沟道层，通过所述导电部电连接；多个所述导电部在平行于衬底方向上相互电隔离。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

第一堆叠结构，包括第一顶部选择栅；所述第一顶部选择栅位于所述第一堆叠结构相对远离所述衬底的一侧；

贯穿所述第一堆叠结构的多个第一沟道柱；

隔断所述第一顶部选择栅的第一顶部选择栅切线；其中，沿平行于所述衬底的方向，所述第一顶部选择栅切线位于相邻两个所述第一沟道柱之间；

第二堆叠结构，包括第二顶部选择栅；所述第二顶部选择栅位于所述第二堆叠结构相对远离所述衬底的一侧；

贯穿所述第二堆叠结构的多个第二沟道柱；

隔断所述第二顶部选择栅的第二顶部选择栅切线；其中，沿平行于所述衬底的方向，所述第二顶部选择栅切线位于相邻两个所述第二沟道柱之间；

所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构沿垂直于衬底的方向层叠设置；其中，层叠设置的所述第一沟道柱与所述第二沟道柱电连接。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

导电部，位于所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构之间，用于电连接所述第一沟道柱和所述第二沟道柱。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向，所述第一顶部选择栅切线与所述第二顶部选择栅切线的投影重叠。

11.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

第一虚拟沟道柱，贯穿所述第一堆叠结构，且位于所述第一顶部选择栅切线下方；

第二虚拟沟道柱，贯穿所述第二堆叠结构，且位于所述第二顶部选择栅切线下方。