[发明专利]一种高可靠性通用芯片及使用方法在审
申请号: | 202210192861.9 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN114583555A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 石元;仇伯仓;惠铁雄;杨旭辉;李智;梁基惠;王剑鹏 | 申请(专利权)人: | 陕西澳威激光科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/02;H01S5/042 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陈翠兰 |
地址: | 727031 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠性 通用 芯片 使用方法 | ||
1.一种高可靠性通用芯片,其特征在于,包括双波导结构、解理区域和光角度标识;
所述双波导结构均独立设置电极;
所述双波导结构中间贯穿设置有解理区域,所述位于解理区域两侧的同一双波导结构通过打线连接;
所述光角度标识设置于芯片的一组对角区域。
2.根据权利要求1所述一种高可靠性通用芯片,其特征在于,所述芯片的宽度不小于400μm。
3.根据权利要求1所述一种高可靠性通用芯片,其特征在于,所述解理区域宽度不小于20μm。
4.根据权利要求1所述一种高可靠性通用芯片,其特征在于,所述光角度标识采用电极形状标识。
5.根据权利要求1所述一种高可靠性通用芯片,其特征在于,所述双波导结构均独立设置的电极间隔设置。
6.一种高可靠性通用芯片的使用方法,其特征在于,基于权利要求1-5所述任意一种高可靠性通用芯片,包括以下步骤:
判断所需芯片类型,若所述芯片的波导结构腔长较长,则选择双波导结构中的其中一条波导结构,通过打线跨接解理区域,另一条波导结构为备用;
若所述芯片的波导结构腔长较短,则解理分割解理区域,形成两个增益芯片,并选择其中一个增益芯片中的双波导结构中的其中一条波导结构,另一条波导结构和另一个增益芯片均为备用。
7.根据权利要求6所述的一种高可靠性通用芯片的使用方法,其特征在于,所述解理分割后的芯片均包含一个出光角度标识。
8.根据权利要求6所述的一种高可靠性通用芯片的使用方法,其特征在于,所述芯片采用MASK图形处理得到。
9.根据权利要求6所述的一种高可靠性通用芯片的使用方法,其特征在于,所述解理时采用切割的方式。
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