[发明专利]微型发光二极管显示芯片及其制备方法在审
| 申请号: | 202210192674.0 | 申请日: | 2022-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN114566515A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
| 发明(设计)人: | 仉旭;庄永漳 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 周达 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种微型发光二极管显示芯片,其特征在于,包括:
第一基板,包括驱动电路和与所述驱动电路电性连接的多个第一触点;
设置于所述第一基板上的LED半导体层,包括层叠设置的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层,所述LED半导体层被划分为多个可被独立驱动的LED单元,所述多个LED单元阵列排布,所述第一触点位于相邻的所述LED单元之间;
多个绝缘件,设置于所述第一基板上并对应所述第一触点设置,且所述绝缘件具有暴露对应的第一触点的开孔;
位于所述第一基板和所述LED半导体层之间的键合层,包括与所述第一掺杂型半导体层电性连接的键合主体部和位于所述开孔内的键合垫,所述绝缘件使所述键合垫与所述键合主体部相互绝缘,所述键合垫与所述第一触点电性连接;所述LED单元对应的第二掺杂型半导体层经所述键合垫与所述第一触点电性连接使每一所述LED单元能够被独立驱动。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述绝缘件高度小于或等于所述键合主体部高度。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述键合垫高度小于或等于所述绝缘件的高度。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述绝缘件的材料为金属氧化物或者有机材料中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,还包括:
钝化层,设置于所述第二掺杂型半导体层上,具有对应所述键合垫的第一开孔和对应所述第二掺杂型半导体层的第二开孔;
电极层,设置于所述钝化层上,通过所述第一开孔和所述第二开孔与各所述LED单元的所述键合垫和所述第二掺杂型半导体层电性连接。
6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,
所述LED半导体层包括与各所述LED单元一一对应的台阶结构,多个所述LED单元的所述台阶结构间隔设置,所述钝化层包覆所述台阶结构的周向。
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述台阶结构高度大于或等于所述第二掺杂型半导体层厚度。
8.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,还包括:位于相邻所述LED单元之间的离子注入阻隔材料,所述离子注入阻隔材料用于电隔离相邻的所述LED单元。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述离子注入阻隔材料高度大于或等于所述第二掺杂型半导体层厚度。
10.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述第一基板还包括与所述驱动电路电性连接的第二触点,所述LED单元对应的第一掺杂型半导体层经所述键合主体部与所述第二触点电性连接。
11.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,对应多个所述LED单元的所述第一掺杂型半导体层一体连接。
12.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示芯片,其特征在于,所述电极层包括多个间隔设置的电极结构,多个所述LED单元的所述电极结构间隔设置,对应多个所述LED单元的所述键合主体部一体设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





