[发明专利]一种CMOS射频接收机的前端电路有效
申请号: | 202210184167.2 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114389629B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 郭本青;樊润伍;廖星月;李珂;王海时 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | H04B1/10 | 分类号: | H04B1/10;H04B1/16 |
代理公司: | 成都智言知识产权代理有限公司 51282 | 代理人: | 濮云杉 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 射频 接收机 前端 电路 | ||
1.一种CMOS射频接收机的前端电路,其特征在于,包括:第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器以及第二跨阻放大器;
输入的射频信号由正输入端VRF+和负输入端VRF-输入;所述正输入端VRF+由第一无源混频器的正输入端VRF1和第二无源混频器的正输入端VRF3相连构成;所述负输入端VRF-由第一无源混频器的负输入端VRF2与第二无源混频器的负输入端VRF4相连构成;
第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0和本振信号LO2相乘,得到一个中频的基带差分电流信号;所述第一无源混频器的正输出端Vout7和负输出端Vout8均分别与第一跨阻放大器的正输入端Iin+和负输入端Iin-相连,第一跨阻放大器的正输出端Vout+和负输出端Vout-形成第一路信号的差分输出端口VBDI;
第二路信号经过第二无源混频器的输入端与输入本振信号LO1和本振信号LO3相乘,得到一个中频的基带差分电流信号,所述第二无源混频器的正输出端Vout9和负输出端Vout10均分别与第二跨阻放大器的正输入端Iin+和负输入端Iin-相连,第二跨阻放大器的正输出端Vout+和负输出端Vout-形成第二路信号的差分输出端口VBDQ;
所述第一跨阻放大器和第二跨阻放大器的结构相同,均是基带TIA单元;
对应第一跨阻放大器的基带TIA单元的正输入端作为第一跨阻放大器的正输入端Iin+;基带TIA单元的反向输入端作为第一跨阻放大器的负输入端Iin-;基带TIA单元的正输出端和基带TIA单元的反向输出端形成所述第一路信号的差分输出端口VBDI;
对应第二跨阻放大器的基带TIA单元的正输入端作为第二跨阻放大器的正输入端Iin+;基带TIA单元的反向输入端作为第二跨阻放大器的负输入端Iin-;基带TIA单元的正输出端和反向输出端形成所述第二路信号的差分输出端口VBDQ;
所述基带TIA单元包括第一路共栅输入电流镜、第二路共栅输入电流镜、第三路共栅输入电流镜、第四路共栅输入电流镜、前馈放大器以及互补反馈源随器;
所述第一路共栅输入电流镜包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、电阻R1、电阻R2、电容C1;
所述第二路共栅输入电流镜包括NMOS管M6、PMOS管M4、NMOS管M5、电阻R5、电阻R6、电容C3;
所述第三路共栅输入电流镜包括PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、电阻R3、电阻R4、电容C2;
所述第四路共栅输入电流镜包括NMOS管M11、PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R7、电阻R8、电容C4;
所述PMOS管M1的源端连接有电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M1的漏端与所述NMOS管M6的漏端连接形成所述基带TIA单元的正输出端;所述PMOS管M1的栅端与PMOS管M2的栅端连接,且PMOS管M2的源端连接有电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M2的漏端连接有PMOS管M2的栅端和NMOS管M3的漏端;所述NMOS管M6的栅端与NMOS管M5的栅端连接,NMOS管M6的源端连接有电阻R5的一端,电阻R5的另一端接地;所述NMOS管M5的漏端与PMOS管M4的漏端连接和NMOS管M5的栅端连接,且NMOS管M5的源端连接有电阻R6的一端,电阻R6的另一端接地;
所述第一路共栅输入电流镜的NMOS管M3的源端与第二路共栅输入电流镜的PMOS管M4的源端连接,形成所述基带TIA单元的正输入端;所述NMOS管M3的源端与栅端之间通过电容C1连接;所述NMOS管M3的栅端与互补反馈源随器的正输出端Vout4连接;所述PMOS管M4的源端与栅端之间通过电容C3连接,所述电容C3连接PMOS管M4的栅端的一端与所述互补反馈源随器的正输出端Vout5连接;
所述PMOS管M7的源端连接有电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M7的漏端与所述NMOS管M12的漏端连接形成所述基带TIA单元的反向输出端;所述PMOS管M7的栅端与PMOS管M8的栅端连接,且PMOS管M8的源端连接有电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M8的漏端连接有NMOS管M9的漏端和PMOS管M8的栅端;所述NMOS管M12的源端连接有电阻R8的一端,电阻R8的另一端接地;所述NMOS管M12的栅端连接NMOS管M11的栅端和NMOS管M11的漏端;所述NMOS管M11的漏端连接有PMOS管M10的漏端,NMOS管M11的源端连接有电阻R7的一端,电阻R7的另一端接地;
所述第三路共栅输入电流镜的NMOS管M9的源端与第四路共栅输入电流镜的PMOS管M10的源端连接,形成所述基带TIA单元的反向输入端;所述NMOS管M9的源端与栅端之间通过电容C2连接;所述NMOS管M9的栅端与互补反馈源随器的负输出端Vout3连接;所述PMOS管M10的源端和栅端之间通过电容C4连接;所述电容C4连接MOS管M10的栅端的一端与所述互补反馈源随器的负输出端Vout6连接;
所述负输入端IIN-和正输入端IIN+通过电容C7连接,所述电容C7连接正输入端IIN+的一端连接有前馈放大器的正输入端V IN1和电容C8的一端,电容C8的另一端接地;所述电容C7连接有负输入端IIN-的一端连接有前馈放大器的负输入端V IN2和电容C9的一端,电容C9的另一端接地;所述前馈放大器的正输出端Vout1与互补反馈源随器的正输入端V IN3连接,前馈放大器的负输出端Vout2与互补反馈源随器的负输入端V IN4连接;所述前馈放大器的正输入端V IN1与正输出端Vout1之间通过电容C5连接;所述前馈放大器的负输入端V IN2与负输出端Vout2之间通过电容C6连接。
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