[发明专利]一种CMOS射频接收机的前端电路有效

专利信息
申请号: 202210184167.2 申请日: 2022-02-24
公开(公告)号: CN114389629B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 郭本青;樊润伍;廖星月;李珂;王海时 申请(专利权)人: 成都信息工程大学
主分类号: H04B1/10 分类号: H04B1/10;H04B1/16
代理公司: 成都智言知识产权代理有限公司 51282 代理人: 濮云杉
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 cmos 射频 接收机 前端 电路
【权利要求书】:

1.一种CMOS射频接收机的前端电路,其特征在于,包括:第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器以及第二跨阻放大器;

输入的射频信号由正输入端VRF+和负输入端VRF-输入;所述正输入端VRF+由第一无源混频器的正输入端VRF1和第二无源混频器的正输入端VRF3相连构成;所述负输入端VRF-由第一无源混频器的负输入端VRF2与第二无源混频器的负输入端VRF4相连构成;

第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0和本振信号LO2相乘,得到一个中频的基带差分电流信号;所述第一无源混频器的正输出端Vout7和负输出端Vout8均分别与第一跨阻放大器的正输入端Iin+和负输入端Iin-相连,第一跨阻放大器的正输出端Vout+和负输出端Vout-形成第一路信号的差分输出端口VBDI

第二路信号经过第二无源混频器的输入端与输入本振信号LO1和本振信号LO3相乘,得到一个中频的基带差分电流信号,所述第二无源混频器的正输出端Vout9和负输出端Vout10均分别与第二跨阻放大器的正输入端Iin+和负输入端Iin-相连,第二跨阻放大器的正输出端Vout+和负输出端Vout-形成第二路信号的差分输出端口VBDQ

所述第一跨阻放大器和第二跨阻放大器的结构相同,均是基带TIA单元;

对应第一跨阻放大器的基带TIA单元的正输入端作为第一跨阻放大器的正输入端Iin+;基带TIA单元的反向输入端作为第一跨阻放大器的负输入端Iin-;基带TIA单元的正输出端和基带TIA单元的反向输出端形成所述第一路信号的差分输出端口VBDI

对应第二跨阻放大器的基带TIA单元的正输入端作为第二跨阻放大器的正输入端Iin+;基带TIA单元的反向输入端作为第二跨阻放大器的负输入端Iin-;基带TIA单元的正输出端和反向输出端形成所述第二路信号的差分输出端口VBDQ

所述基带TIA单元包括第一路共栅输入电流镜、第二路共栅输入电流镜、第三路共栅输入电流镜、第四路共栅输入电流镜、前馈放大器以及互补反馈源随器;

所述第一路共栅输入电流镜包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、电阻R1、电阻R2、电容C1;

所述第二路共栅输入电流镜包括NMOS管M6、PMOS管M4、NMOS管M5、电阻R5、电阻R6、电容C3;

所述第三路共栅输入电流镜包括PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、电阻R3、电阻R4、电容C2;

所述第四路共栅输入电流镜包括NMOS管M11、PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R7、电阻R8、电容C4;

所述PMOS管M1的源端连接有电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M1的漏端与所述NMOS管M6的漏端连接形成所述基带TIA单元的正输出端;所述PMOS管M1的栅端与PMOS管M2的栅端连接,且PMOS管M2的源端连接有电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M2的漏端连接有PMOS管M2的栅端和NMOS管M3的漏端;所述NMOS管M6的栅端与NMOS管M5的栅端连接,NMOS管M6的源端连接有电阻R5的一端,电阻R5的另一端接地;所述NMOS管M5的漏端与PMOS管M4的漏端连接和NMOS管M5的栅端连接,且NMOS管M5的源端连接有电阻R6的一端,电阻R6的另一端接地;

所述第一路共栅输入电流镜的NMOS管M3的源端与第二路共栅输入电流镜的PMOS管M4的源端连接,形成所述基带TIA单元的正输入端;所述NMOS管M3的源端与栅端之间通过电容C1连接;所述NMOS管M3的栅端与互补反馈源随器的正输出端Vout4连接;所述PMOS管M4的源端与栅端之间通过电容C3连接,所述电容C3连接PMOS管M4的栅端的一端与所述互补反馈源随器的正输出端Vout5连接;

所述PMOS管M7的源端连接有电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M7的漏端与所述NMOS管M12的漏端连接形成所述基带TIA单元的反向输出端;所述PMOS管M7的栅端与PMOS管M8的栅端连接,且PMOS管M8的源端连接有电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接有电源电压VDD;所述PMOS管M8的漏端连接有NMOS管M9的漏端和PMOS管M8的栅端;所述NMOS管M12的源端连接有电阻R8的一端,电阻R8的另一端接地;所述NMOS管M12的栅端连接NMOS管M11的栅端和NMOS管M11的漏端;所述NMOS管M11的漏端连接有PMOS管M10的漏端,NMOS管M11的源端连接有电阻R7的一端,电阻R7的另一端接地;

所述第三路共栅输入电流镜的NMOS管M9的源端与第四路共栅输入电流镜的PMOS管M10的源端连接,形成所述基带TIA单元的反向输入端;所述NMOS管M9的源端与栅端之间通过电容C2连接;所述NMOS管M9的栅端与互补反馈源随器的负输出端Vout3连接;所述PMOS管M10的源端和栅端之间通过电容C4连接;所述电容C4连接MOS管M10的栅端的一端与所述互补反馈源随器的负输出端Vout6连接;

所述负输入端IIN-和正输入端IIN+通过电容C7连接,所述电容C7连接正输入端IIN+的一端连接有前馈放大器的正输入端V IN1和电容C8的一端,电容C8的另一端接地;所述电容C7连接有负输入端IIN-的一端连接有前馈放大器的负输入端V IN2和电容C9的一端,电容C9的另一端接地;所述前馈放大器的正输出端Vout1与互补反馈源随器的正输入端V IN3连接,前馈放大器的负输出端Vout2与互补反馈源随器的负输入端V IN4连接;所述前馈放大器的正输入端V IN1与正输出端Vout1之间通过电容C5连接;所述前馈放大器的负输入端V IN2与负输出端Vout2之间通过电容C6连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都信息工程大学,未经成都信息工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210184167.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top