[发明专利]一种发光器件、显示面板及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210179597.5 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114551668A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;H01L33/06;H01L33/40;H01L33/42;H01L27/15
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 崔家源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 器件 显示 面板 电子设备
【说明书】:

本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备,发光器件至少包括:第一外延结构、第二外延结构,第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光;第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置,每个外延结构均包括:N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层;第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层,包括:第一导电材料层和第二导电材料层,第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接,第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接;第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积;第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。

技术领域

本公开涉及显示领域,特别涉及一种发光器件、显示面板及电子设备。

背景技术

白光发光二极管被广泛应用于汽车前照灯、背光显示模块、高铁舰船探照灯、医疗和工业照明等领域。目前,根据芯片的不同,能实现白光的技术主要有三种,分别是多芯片白光发光二极管、紫外光激发白光发光二极管和蓝光激发白光发光二极管的方法。

蓝光激发白光发光二极管是指采用蓝光发光二极管与荧光粉组合来产生白光。该方法实现原理如下:来自蓝光发光二极管的蓝光照射到荧光材料中,一部分被荧光材料吸收后激发产生黄光、绿光或红光,另一部分的蓝光穿透过荧光材料,穿透过的蓝光与荧光粉激发的光混合在一起形成白光。

紫外光激发白光发光二极管是指使用采用发出近紫外光的发光二极管激发光源激发红、绿、蓝复合荧光材料得到白光。复合荧光材料通常只采用红、绿、蓝三基色荧光粉进行混合。由于白光全部来源于荧光粉发出的光,且荧光粉的激发光谱与发出近紫外光的发光二极管的发射光谱相匹配,因此这种方法产生的白光的发光效率较高、白光质量好、成本较低廉,但是由于采用紫外或近紫外的下转换的方式涉及较大的Stokes位移,在转换过程中必然会导致能量损耗的增加。此外,由于采用紫外光源作为激光光源,该方法也容易产生紫外污染的问题。

发明内容

有鉴于此,本公开实施例提出了一种发光器件、显示面板及电子设备。

一方面,本公开实施例提出了一种发光器件,至少包括:第一外延结构、第二外延结构,所述第一外延结构和所述第二外延结构能够发出不同波段的光;所述第一外延结构和所述第二外延结构沿第一方向依次设置,每个外延结构均包括:N型半导体层、P型半导体层,以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的多量子阱层;所述第一外延结构和所述第二外延结构之间设置有导电键合层,所述导电键合层包括:第一导电材料层和第二导电材料层,所述第一导电材料层还与所述第一外延结构的N型半导体层连接,所述第二导电材料层还与所述第二外延结构的P型半导体层连接;其中,所述第二导电材料层的表面面积小于或等于所述第一导电材料层的表面面积,所述第一导电材料层被配置为与所述第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触,所述第二导电材料层被配置为与所述第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触;所述第一导电材料层的表面面积与所述第一外延结构的N型半导体层的表面面积相同,所述第二导电材料层的表面面积与所述第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2-1。

在一些实施例中,所述第二导电材料层的透光率大于或等于90%。

在一些实施例中,所述第二导电材料层的材料至少包括以下之一:氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌。

在一些实施例中,所述第二导电材料层的厚度为50-200nm。

在一些实施例中,所述第一外延结构和所述第二外延结构之间还设置有介质层,所述介质层与所述第二导电材料层同层设置。

在一些实施例中,所述介质层与所述第二导电材料层具有相同厚度。

在一些实施例中,所述介质层的材料至少包括以下之一:氧化硅、氮化硅、氧化铝。

在一些实施例中,所述第二导电材料层与所述介质层在垂直于所述第一方向上的平面上呈现交替排布。

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