[发明专利]一种发光器件、显示面板及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210179597.5 申请日: 2022-02-25
公开(公告)号: CN114551668A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 梁轩;王飞;王明星;王灿;董学;杨明坤;齐琪 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L33/08 分类号: H01L33/08;H01L33/06;H01L33/40;H01L33/42;H01L27/15
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 崔家源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 器件 显示 面板 电子设备
【权利要求书】:

1.一种发光器件,其特征在于,至少包括:

第一外延结构、第二外延结构,所述第一外延结构和所述第二外延结构能够发出不同波段的光;

所述第一外延结构和所述第二外延结构沿第一方向依次设置,每个外延结构均包括:N型半导体层、P型半导体层,以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的多量子阱层;

所述第一外延结构和所述第二外延结构之间设置有导电键合层,所述导电键合层包括:第一导电材料层和第二导电材料层,所述第一导电材料层还与所述第一外延结构的N型半导体层连接,所述第二导电材料层还与所述第二外延结构的P型半导体层连接;

其中,所述第二导电材料层的表面面积小于或等于所述第一导电材料层的表面面积,所述第一导电材料层被配置为与所述第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触,所述第二导电材料层被配置为与所述第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触;

所述第一导电材料层的表面面积与所述第一外延结构的N型半导体层的表面面积相同,所述第二导电材料层的表面面积与所述第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2-1。

2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二导电材料层的透光率大于或等于90%。

3.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第二导电材料层的材料至少包括以下之一:氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌。

4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二导电材料层的厚度为50-200nm。

5.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一外延结构和所述第二外延结构之间还设置有介质层,所述介质层与所述第二导电材料层同层设置。

6.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述介质层与所述第二导电材料层具有相同厚度。

7.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述介质层的材料至少包括以下之一:氧化硅、氮化硅、氧化铝。

8.如权利要求1至7中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述第二导电材料层与所述介质层在垂直于所述第一方向上的平面上呈现交替排布。

9.如权利要求1至7中任一项所述的发光器件,其特征在于,还包括:设置在出光面上的微纳结构。

10.如权利要求9所述的发光器件,其特征在于,微纳结构由多个微型结构组成,所述微型结构至少包括以下之一:微锥结构、微球结构、微柱结构。

11.一种显示面板,其特征在于,至少包括:多个权利要求1至10中任一项所述的发光器件。

12.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求11所述的显示面板。

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