[发明专利]一种压接式IGBT功率循环中微动位移测量装置及方法

权利要求书

1.一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，所述一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法通过一种压接式IGBT功率循环中微动位移测量装置进行测量，所述一种压接式IGBT功率循环中微动位移测量装置包括：

支架(1)；

滑杆(2)，滑动安装在所述支架(1)上，且沿所述支架(1)周向方向设置至少四个；

传感器(3)，分别滑动安装在所述支架(1)和所述滑杆(2)上；

功率循环实验装置(4)，设置在所述支架(1)的内部，所述功率循环实验装置(4)包括：IGBT芯片层(401)，所述IGBT芯片层(401)横向对应所述滑杆(2)上的传感器(3)；

其中，所述支架(1)上的传感器(3)设置至少两个，且纵向对应相邻的所述滑杆(2)上的传感器(3)，所述滑杆(2)和所述传感器(3)的移动方向相互垂直设置；

所述传感器(3)采用皮米级激光位移传感器，皮米级激光位移传感器共有六个，其中四个用于测量X，Y方向上微动位移，分别为第一皮米级激光位移传感器、第二皮米级激光位移传感器、第三皮米级激光位移传感器和第四皮米级激光位移传感器，所述第一及第三皮米级激光位移传感器安装在X方向的滑块上，第二及第四皮米级激光位移传感器安装在Y方向的滑块上；剩余两个皮米级激光位移传感器用于测量X，Y方向位移零位，分别为第五及第六皮米级激光位移传感器，分别安装在底框滑槽上的滑块上；所述第一、第三皮米级激光位移传感器在Y、Z方向上坐标相同，第二、第四皮米级激光位移传感器在X、Z方向上坐标相同，第一、第五皮米级激光位移传感器在Y方向上坐标相同，第二、第六皮米级激光位移传感器在X方向上坐标相同；

所述一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法包括如下步骤：

S1，通过电机控制传感器到需要测量微动位移的芯片层位置，并通过电磁开关固定住皮米级激光位移传感器；

S2，当芯片层发生微动时，传感器的反射光也会发生变化，通过光电转换后，通过采集卡将电信号传输至电脑中；

S3，通过六个传感器接收到的电信号计算热膨胀率、微滑动量及微滑动角度。

2.根据权利要求1所述的一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，所述支架(1)包括：

底框(101)，所述功率循环实验装置(4)设置在所述底框(101)中部，所述传感器(3)滑动安装在所述底框(101)上表面；

支杆(102)，安装在所述底框(101)上，所述支杆(102)沿所述底框(101)的周向方向设置至少四个，且分别与相邻的所述滑杆(2)滑动连接。

3.根据权利要求2所述的一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，还包括：

滑槽(5)，所述滑槽(5)分别开设在所述滑杆(2)上表面、所述支杆(102)侧壁和所述底框(101)上表面；

导向部，设置在所述滑槽(5)内部，所述导向部分别设置在所述滑杆(2)端壁和所述传感器(3)下表面。

4.根据权利要求3所述的一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，所述导向部包括：

滑块(6)，所述滑块(6)侧壁贴合所述滑槽(5)内壁，所述滑块(6)分别侧壁固定连接所述滑杆(2)端壁和所述传感器(3)。

5.根据权利要求4所述的一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，所述导向部还包括：

电机(7)，安装在所述滑块(6)上，用于带动所述滑块(6)和所述传感器(3)沿所述滑槽(5)移动；

电磁开关(8)，安装在所述滑块(6)上，所述电磁开关(8)用于与所述滑槽(5)内壁相配合，以将所述滑块(6)在所述滑槽(5)内固定。

6.根据权利要求4所述的一种专用于压接IGBT模块功率循环实验中微动位移原位测量方法，其特征在于，所述滑块(6)和传感器(3)的连接处插接有插销(9)。