[发明专利]改善显示背板刻蚀工艺的方法在审
| 申请号: | 202210174061.4 | 申请日: | 2022-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN114551773A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
| 发明(设计)人: | 李淳东;陈兵;杨云华;夏麒帆;吉永城 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 胡艳华;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改善 显示 背板 刻蚀 工艺 方法 | ||
本文公开一种改善显示背板刻蚀工艺的方法,包括:在通过支撑柱加载显示背板前,调整支撑柱的高度使支撑柱的顶面和电极的顶面在同一个平面内,模拟刻蚀显示背板时提供的磁场环境,给支撑柱和电极通电,调节支撑柱的供电参数直至目标区域内的电场和/或磁场强度达到均匀性标准,记录最终确定的支撑柱供电参数;通过支撑柱加载显示背板,调整支撑柱的高度使支撑柱的顶面和电极的顶面在同一平面内,给电极通电以吸附背板,根据之前确定的支撑柱供电参数给支撑柱通电以产生电场和/或磁场,在显示背板进行刻蚀的过程中持续给支撑柱和电极供电;其中,电极的顶面和支撑柱的顶面是与显示背板接触的接触面。本文提供的方法能改善显示背板的刻蚀均一性。
技术领域
本文涉及但不限于显示技术领域,尤其涉及一种改善显示背板刻蚀工艺的方法。
背景技术
干法刻蚀一般指等离子表面刻蚀(plasma surface etching),材料表面通过反应气体电离成等离子等自由基团与材料发生反应从而进行选择性地刻蚀,被刻蚀的材料转化为气相并被真空泵排出。进行干法刻蚀的设备包括反应室、电源和真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。
如图1所示,AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体)显示背板的干法刻蚀工艺过程中,显示背板10被作为工件送入反应室,工作台上的支撑柱(Pin)30从凹槽内升起,显示背板被放置在支撑柱上并通过机械手臂传送至指定区域,显示背板随着支撑柱的下降而下降直至支撑柱的顶部与电极20的上表面平齐,给电极通电,显示背板依靠电极的吸附作用贴附在电极上,然后进行刻蚀。
对刻蚀后的显示背板进行光学检测,在支撑柱附近的区域容易产生光学不一致性(mura)。
发明内容
本公开实施例提供了一种改善显示背板刻蚀工艺的方法,包括:
在通过支撑柱加载显示背板前,调整所述支撑柱的高度使所述支撑柱的顶面和电极的顶面在同一个平面内,给所述支撑柱和所述电极通电,调节所述支撑柱的供电参数直至目标区域内的电场强度和/或磁场强度达到均匀性标准,调节结束后断电,记录最终确定的支撑柱供电参数;其中,所述电极环绕所述支撑柱且二者相互不接触;
通过支撑柱加载显示背板,调整所述支撑柱的高度使所述支撑柱的顶面和所述电极的顶面在同一个平面内,给所述电极通电以吸附所述显示背板,根据之前确定的支撑柱供电参数给所述支撑柱通电以产生电场和/或磁场,在显示背板进行刻蚀的过程中持续给所述支撑柱和所述电极供电;其中,电极的顶面和支撑柱的顶面是与显示背板接触的接触面。
本公开实施例提供的改善显示背板刻蚀工艺的方法,在通过支撑柱加载显示背板前,按照刻蚀工艺流程中的支撑柱高度调整支撑柱,模拟刻蚀显示背板时提供的磁场环境,给所述支撑柱和所述电极通电,调节所述支撑柱的供电参数直至目标测试区内的电场强度和/或磁场强度达到均匀性标准,调节结束后记录最终确定的支撑柱供电参数。上述调节是在真正加载显示背板之前进行的,可以视为新增的预处理过程,通过该预处理过程可以获得改善电场和/或磁场均匀性分布的支撑柱供电方案。在真正的刻蚀过程中,只要按照之前预处理过程中确定的供电方案给支撑柱供电,就能够补偿刻蚀过程中支撑柱顶面区域的电场和/或磁场差异,从而改善显示背板的刻蚀均一性。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为现有技术中支撑柱支撑显示背板的示意图;
图2为本公开实施例提供的一种改善显示背板刻蚀工艺的方法流程图;
图3为本公开实施例提供的一种目标区域的示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210174061.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制造方法
- 下一篇:一种自定义3D虚拟形象生成系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





