[发明专利]Micro-LED微显示芯片及其制作方法在审
申请号: | 202210173192.0 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114784034A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 仉旭;庄永漳 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | micro led 显示 芯片 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种Micro‑LED微显示芯片及其制作方法。所述Micro‑LED微显示芯片包括:基板,所述基板的表面具有多个凸起部,每一凸起部顶端设置有一个触点,所述触点与所述基板所包含的驱动电路电连接;LED外延层,设置在所述基板上,所述LED外延层具有阵列排布的多个LED单元,所述触点对应设置在相邻两个LED单元之间的区域,每一LED单元与一触点连接并被驱动,且每一所述LED单元能够独立的被驱动。本发明实施例提供的一种Micro‑LED微显示芯片在将LED单元与触点进行电连接时,需刻蚀除去的键合层更薄,进而降低了工艺难度,以及,将刻蚀过程对器件的损伤降低至最小。
技术领域
本发明特别涉及一种Micro-LED微显示芯片及其制作方法,属于微显示技术领域。
背景技术
近年来,LED已经在照明应用中变得流行。作为光源,LED具有许多优点,包括更高的光效率、更低的能耗、更长的使用寿命、更小的尺寸以及更快的开关速度。
具有微型尺寸LED的显示器被称为微型LED(micro-LEDs)。微型LED显示器具有形成单个像素元件的微型LED阵列。像素可以是显示屏上的微小照明区域,可以由许多像素构成图像。换句话说,像素可以是小的离散元素,它们一起构成显示器上的图像。像素通常以二维 (2D)矩阵排列,并使用点、正方形、矩形或其他形状表示。像素可以是显示器或数字图像的基本单元,并具有几何坐标。
微显示领域的显示器件多被用于产生高亮度的微缩显示图像,通过光学系统进行投影从而被观察者感知,投影目标可以是视网膜(虚像),或者投影幕布(实相)。可应用于AR(增强现实)、VR(虚拟现实)、HUD(汽车抬头显示)等各个方面。新兴技术主要是Micro-LED,具有高亮度、反应快、高色域、高PPI、低能耗等优势。
现有技术中的Micro-LED通常的制作流程是:首先形成Micro-LED单个器件或者阵列,然后将Micro-LED器件或者阵列批量转移至电路基板(例如,TFT板或COMS板等)上,最后进行封装。然而,由于Micro-LED尺寸小,定位精度要求高,如何高效率、高成品率的将Micro- LED芯片批量转移到电路基板上,成为将Micro-LED应用于微型显示技术领域急需突破的技术瓶颈。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种单片集成的Micro-LED微显示芯片及其制作方法,以克服现有技术中的不足,有利于进一步扩大Micro-LED在微显示领域的产品应用。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供了一种Micro-LED微显示芯片,包括:
基板,其表面具有阵列排布的多个凸起部,每一凸起部顶端设置有一个触点,所述触点与所述基板所包含的驱动电路电连接;
LED外延层,设置在所述基板上,所述LED外延层包括依次叠层设置在所述基板上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层,所述LED外延层具有阵列排布的多个LED 单元;
键合层,设置于所述LED外延层与所述基板之间,所述键合层与所述第一掺杂型半导体层电连接,所述键合层覆盖所述凸起部并暴露所述触点;
所述凸起部位于相邻两个LED单元之间,每一LED单元的第二掺杂型半导体层与一凸起部上的触点电连接,使每一所述LED单元能够独立的被驱动。
在一些较为具体的实施方式中,所述基板的表面具有第一区域和第二区域,所述第一区域至少环绕所述第二区域设置,所述凸起部设置在所述第二区域,且位于所述LED外延层与第一区域之间的键合层厚度不小于所述凸起部的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的