[发明专利]Micro-LED微显示芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种Micro-LED微显示芯片，其特征在于，包括：

基板，其表面具有阵列排布的多个凸起部，每一凸起部顶端设置有一个触点，所述触点与所述基板所包含的驱动电路电连接；

LED外延层，设置在所述基板上，所述LED外延层包括依次叠层设置在所述基板上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层，所述LED外延层具有阵列排布的多个LED单元；

键合层，设置于所述LED外延层与所述基板之间，所述键合层与所述第一掺杂型半导体层电连接，所述键合层覆盖所述凸起部并暴露所述触点；

所述凸起部位于相邻两个LED单元之间，每一LED单元的第二掺杂型半导体层与一凸起部上的触点电连接，使每一所述LED单元能够独立的被驱动。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述基板的表面具有第一区域和第二区域，所述凸起部设置在所述第二区域，且位于所述LED外延层与第一区域之间的键合层厚度不小于所述凸起部的高度。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述LED单元具有台阶结构，相邻的两个LED单元经所述台阶结构被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动，并且，所述LED外延层与所述触点对应的区域还具有暴露所述触点的第一刻蚀孔，每一所述LED单元的第二掺杂型半导体层经电极层自所述第一刻蚀孔处与一凸起部上的触点电连接。

4.根据权利要求3所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上形成有所述的台阶结构，且所述台阶结构的高度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度而小于所述LED外延层的厚度，所述台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。

5.根据权利要求3所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上形成有所述的台阶结构，且所述台阶结构的高度等于所述LED外延层的厚度，所述台阶结构还使相邻LED单元的有源层和第一掺杂型半导体层电性隔离。

6.根据权利要求4或5所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上还设置有钝化层，所述钝化层还覆盖所述台阶结构的侧壁所述钝化层具有第一开口、第二开口，所述第一开口暴露每一LED单元对应的所述第二掺杂型半导体层，所述第二开口暴露所述触点，所述电极层设置在所述钝化层上并覆盖所述第一开口、第二开口，所述电极层自所述第一开口处与所述第二掺杂型半导体层电连接、自所述第二开口处与所述触点电连接。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：相邻的两个LED单元之间设置有隔离材料层，相邻的两个LED单元经所述隔离材料层被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动，并且，所述隔离材料层与所述触点对应的区域还具有暴露所述触点的第二刻蚀孔，所述LED单元的第二掺杂型半导体层经电极层自所述第二刻蚀孔处与一凸起部上的触点电连接。

8.根据权利要求7所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层内形成有所述的隔离材料层，且所述隔离材料层的厚度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度，所述隔离材料层至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。

9.根据权利要求8所述的Micro-LED微显示芯片，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上还设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述第二刻蚀孔的侧壁，所述钝化层具有第一开口、第二开口，所述第一开口暴露每一LED单元对应的所述第二掺杂型半导体层，所述第二开口暴露所述触点，所述电极层设置在所述钝化层上并覆盖所述第一开口、第二开口，所述电极层自所述第一开口处与所述第二掺杂型半导体层电连接、自所述第二开口处与所述触点电连接。