[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202210166740.7 | 申请日: | 2022-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN114975533A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 金根佑 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置。显示装置包括:基底;下导电层,设置在基底上并且包括彼此电隔离的第一下导电图案和第二下导电图案;第一半导体层,包括第一沟道区以及设置在第一沟道区的一侧上的第一源区和设置在第一沟道区的另一侧上的第一漏区。在平面图中,第一下导电图案与第一沟道区和第一源区叠置,第二下导电图案与第一沟道区和第一漏区叠置,并且不同的电压被施加到第一下导电图案和第二下导电图案。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息化社会的进步,对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的需求。例如,显示装置用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置中。
随着多媒体技术的发展,显示装置的重要性已经稳步增大。因此,已经使用了诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置等的各种类型的显示装置。在显示装置之中,有机发光显示装置使用通过电子和空穴的复合产生光的有机发光元件来显示图像。有机发光显示装置包括向有机发光元件提供驱动电流的多个晶体管。
多个晶体管中的每个可以包括有源层,并且多个晶体管的有源层可以由彼此不同的材料制成。
发明内容
本公开的方面提供了能够在改善诸如污点或残像的缺陷的同时改善步进效率的显示装置。
然而,本公开的方面不限于在这里阐述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
显示装置的实施例包括:基底;下导电层,设置在基底上,并且包括彼此电隔离的第一下导电图案和第二下导电图案;缓冲层,设置在下导电层上;第一半导体层,设置在缓冲层上,并且包括第一晶体管的第一沟道区,以及设置在第一晶体管的第一沟道区的一侧上的第一晶体管的第一源区和设置在第一晶体管的第一沟道区的另一侧上的第一晶体管的第一漏区;第一绝缘层,设置在第一半导体层上;以及第一晶体管的第一栅电极,设置在第一绝缘层上,其中,在平面图中,第一下导电图案与第一晶体管的第一沟道区和第一晶体管的第一源区叠置,第二下导电图案与第一晶体管的第一沟道区和第一晶体管的第一漏区叠置,并且不同的电压被施加到第一下导电图案和第二下导电图案。
显示装置的实施例包括:第一电力电压线;发光元件;第一晶体管,包括第一沟道区、设置在沟道区的一侧上并且电连接到第一电力电压线的第一源区和设置在沟道区的另一侧上并且电连接到发光元件的第一漏区;第二晶体管,连接在第一晶体管的第一漏区与第一晶体管的第一栅电极之间;以及下导电层,设置在第一晶体管下方,并且包括与第一晶体管的第一沟道区和第一晶体管的第一源区叠置的第一下导电图案,以及与第一晶体管的第一沟道区和第一晶体管的第一漏区叠置的第二下导电图案,其中,第一下导电图案和第二下导电图案彼此电隔离,并且不同的电压分别被施加到第一下导电图案和第二下导电图案。
依照根据一个实施例的显示装置,可以在改善诸如污点或残像的缺陷的同时改善步进效率。
然而,本公开的效果不限于上述效果,各种其他效果包括在本说明书中。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例,本公开的上述和其他方面和特征将变得更加明显,其中:
图1是根据一个实施例的显示装置的平面图;
图2是处于弯曲状态的图1的显示装置的侧视图,并且示出了在厚度方向上弯曲的显示装置的侧视图;
图3是沿着图1的线IIIa-IIIa'和线IIIb-IIIb'截取的剖视图;
图4是根据一个实施例的显示装置的一个像素的等效电路图;
图5是示出根据一个实施例的像素的剖面的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





