[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 202210166740.7 申请日: 2022-02-23
公开(公告)号: CN114975533A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 金根佑 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 田野;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,所述显示装置包括:

基底;

下导电层,设置在所述基底上,并且包括彼此电隔离的第一下导电图案和第二下导电图案;

缓冲层,设置在所述下导电层上;

第一半导体层,设置在所述缓冲层上,并且包括第一晶体管的第一沟道区,以及设置在所述第一沟道区的一侧上的所述第一晶体管的第一源区和设置在所述第一晶体管的所述第一沟道区的另一侧上的所述第一晶体管的第一漏区;

第一绝缘层,设置在所述第一半导体层上;以及

所述第一晶体管的第一栅电极,设置在所述第一绝缘层上,

其中,在平面图中,所述第一下导电图案与所述第一晶体管的所述第一沟道区和所述第一晶体管的所述第一源区叠置,并且所述第二下导电图案与所述第一晶体管的所述第一沟道区和所述第一晶体管的所述第一漏区叠置,并且

其中,不同的电压被施加到所述第一下导电图案和所述第二下导电图案。

2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:

第二绝缘层,设置在所述第一晶体管的所述第一栅电极上;

第二半导体层,设置在所述第二绝缘层上,并且包括第二晶体管的第二沟道区、设置在所述第二沟道区的一侧上的所述第二晶体管的第二源区和设置在所述第二晶体管的所述第二沟道区的另一侧上的所述第二晶体管的第二漏区;

第三绝缘层,设置在所述第二半导体层上;以及

所述第二晶体管的第二栅电极,设置在所述第三绝缘层上,

其中,所述第二半导体层包括与所述第一半导体层的材料不同的材料。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二晶体管连接在所述第一晶体管的所述第一漏区和所述第一晶体管的所述第一栅电极之间。

4.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:第一电力电压线,电连接到所述第一晶体管的所述第一源区;以及发光元件,电连接到所述第一晶体管的所述第一漏区。

5.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:第三晶体管,电连接到所述第一晶体管的所述第一源区并且被配置为接收数据信号,

其中,所述第三晶体管的第三沟道区由所述第一半导体层形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置,所述显示装置还包括第四晶体管,所述第四晶体管电连接到所述第一晶体管的所述栅电极,并且所述第四晶体管被施加有初始化电压。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,施加到所述第一下导电图案的所述电压是初始化电压,并且施加到所述第二下导电图案的所述电压是第一电力电压。

8.一种显示装置,所述显示装置包括:

第一电力电压线;

发光元件;

第一晶体管,包括第一沟道区、设置在所述第一沟道区的一侧上并且电连接到所述第一电力电压线的第一源区以及设置在所述第一沟道区的另一侧上并电连接到所述发光元件的第一漏区;

第二晶体管,连接在所述第一晶体管的所述第一漏区与所述第一晶体管的第一栅电极之间;以及

下导电层,设置在所述第一晶体管下方,并且包括与所述第一晶体管的所述第一沟道区和所述第一晶体管的所述第一源区叠置的第一下导电图案,以及与所述第一晶体管的所述第一沟道区和所述第一晶体管的所述第一漏区叠置的第二下导电图案,

其中,所述第一下导电图案和所述第二下导电图案彼此电隔离,并且不同的电压被分别施加到所述第一下导电图案和所述第二下导电图案。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一晶体管的所述第一沟道区由第一半导体层形成,并且所述第二晶体管的第二沟道区由不同于所述第一半导体层的第二半导体层形成。

10.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括:第三晶体管,电连接到所述第一晶体管的所述第一源区并且被配置为接收数据信号,

其中,所述第三晶体管的第三沟道区由所述第一半导体层形成。

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