[发明专利]纯化设备及热场配件纯化方法在审

专利信息
申请号: 202210166652.7 申请日: 2022-02-23
公开(公告)号: CN114950308A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 张仲升;中西正美;苏玉圣;朱彦勋;吴用吉;范义华 申请(专利权)人: 环球晶圆股份有限公司
主分类号: B01J19/14 分类号: B01J19/14;C01B33/037;C01B32/215;C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王侠
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 纯化 设备 配件 方法
【说明书】:

本发明公开一种纯化设备及配合其实施的一种热场配件纯化方法,纯化设备用来去除设置于纯化设备内侧的至少一个热场配件上的金属杂质。纯化设备包括一高温炉、设置于高温炉内侧的一密闭盒、连接于高温炉与密闭盒的一外管、设置于外管的内侧的一内管、连接于外管的一进气盖、设置于进气盖与外管之间的一第一密封件、以及环绕内管设置的一第二密封件。高温炉包含一炉体、一炉盖及设置于炉体内侧的一热场模块,进气盖能通过内管向密闭盒输入一惰性气体,热场模块用来加热惰性气体以使杂质由于被惰性气体加热而汽化。借此,将热场配件纯化后并再次利用,以降低切换或调整产品工艺所造成的成本损失。

技术领域

本发明涉及一种长晶设备及一种纯化方法,特别是涉及一种纯化设备及配合所述纯化设备实施的一种热场配件纯化方法。

背景技术

现有的长晶设备(如:柴氏长晶设备)在制备晶锭、晶棒或单晶硅等产品时,若上述产品需应市场需求对上述产品的工艺进行调整,为避免现有的长晶设备中的石墨热场内侧所含的不纯物(如:砷化合物、硅化合物)造成污染,往往需要进一步制作一新热场及其相关配件,以配合调整后的产品工艺。

然而,制作新热场及其相关配件的时程往往需耗时至少3~6个月,并且制作新热场的费用动辄数百万元。导致现有的长晶设备在制造不同产品时,其时间成本及费用将大幅度提升。

针对上述缺陷,现有相关技术(如:中国专利号CN111254291A)仍多是针对一特定待纯化物(如:铜锭)对应提供专属的纯化装置。进一步地说,以中国专利号CN111254291A为例,其是借由“在包含冷却介质进管以及冷却介质出管的一炉体内中,利用铜中杂质不同分凝系数、不同饱和蒸汽压对铜进行纯化”的技术手段,来解决大型铜锭的高纯度纯化问题。需要说明的是,所述冷却介质进管的功能实际上仅是用来对石墨支撑台进行冷却降温,所述冷却介质进管并没有办法用来直接去除杂质。

如所述的,可以得知在现有相关技术中,现有的长晶设备在面对产品工艺需进行调整的问题时,除了采取“制作一新热场及其相关配件”的技术手段外,并没有其他更好的解决办法。因此,如何通过结构设计的改良来克服上述的缺陷已成为该项事业所要解决的重要课题之一。

发明内容

本发明实施例针对现有技术的不足提供一种纯化设备及一种热场配件纯化方法,其能有效地改善现有的长晶设备在制程中所可能产生的污染。

本发明的其中一个实施例公开了一种纯化设备,用来去除至少一个热场配件上的杂质,所述纯化设备包括:一高温炉,所述高温炉包含一炉体、安装于所述炉体的一炉盖、及设置于所述炉体的内侧的一热场模块;一密闭盒,设置于所述热场模块的内侧,并且所述密闭盒包含一盒体以及可拆卸地安装于所述盒体的一盒盖,其中所述盒体用来容纳至少一个所述热场配件;一外管,设置成穿过所述炉盖,并且所述外管包含一第一外管口、一第二外管口及一第三外管口,其中所述第一外管口与所述第二外管口设置于所述炉盖相对远离所述炉体的一侧,而所述第三外管口连接于所述盒盖;一内管,与所述外管间隔开地设置于所述外管的内侧,并且所述内管包含一第一内管口与一第二内管口;以及一进气盖,连接于所述第一外管口,并且所述进气盖能通过所述内管向所述密闭盒输入一惰性气体,其中所述热场模块用来加热位于所述密闭盒中的所述惰性气体以使所述杂质由于被所述惰性气体加热而汽化。

优选地,所述纯化设备还包含一第一密封件与一第二密封件,所述第一密封件设置于所述进气盖与所述第一外管口之间的连接处,所述第二密封件环绕所述内管设置。

优选地,所述第二密封件的位置对应于所述进气盖与所述第一外管口之间的连接处。

优选地,所述纯化设备还包含一抽气装置,所述抽气装置连接于所述第二外管口,并且所述抽气装置用来通过所述第二外管口抽取所述惰性气体以及汽化的所述杂质。

优选地,所述第二内管口邻近所述密闭盒的底部设置,所述内管还包含一出气管,并且所述出气管连接于所述第二内管口;其中,所述出气管能用来将所述惰性气体均匀地分布于所述密闭盒中。

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