[发明专利]一种教学用CMOS反相器模具在审

专利信息
申请号: 202210162655.3 申请日: 2022-02-22
公开(公告)号: CN114495680A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 卢静;刘睿强;陈方毅;冯筱佳;瞿豪;余志林;马心沂 申请(专利权)人: 重庆电子工程职业学院
主分类号: G09B25/00 分类号: G09B25/00
代理公司: 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 代理人: 赵玉乾
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 教学 cmos 反相器 模具
【说明书】:

发明涉及教具制备技术领域,尤其是一种教学用CMOS反相器模具,包括模型建立模块和模型打印模块;所述模型建立模块包括参数生成模块、模型组装模块和参数调整模块;所述参数生成模块,用于生成若干模具部件的模具参数;所述模型组装模块,用于根据所述参数生成模块生成的模具参数,对模具部件进行组装,并生成组装效果示意图;所述参数调整模块,用于根据所述组装效果示意图,调整所述参数生成模块生成的模具参数,并生成调整后的模具参数;所述模型打印模块,用于根据调整后的模具参数,打印模具部件。采用本方案,能够对CMOS反相器的结构进行清晰的呈现,便于掌握CMOS反相器的结构,提升学习兴趣及学习效率。

技术领域

本发明涉及教具制备技术领域,特别涉及一种教学用CMOS反相器模具。

背景技术

反相器可以将输入信号的相位反转180度,这种电路应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟振荡器等。在集成电路设计中,经常要用到反相器。CMOS反相器是所有数字集成电路设计的核心器件,它具有较大的噪声容限、极高的输入电阻、极低的静态功耗以及对噪声和干扰不敏感等优点,因此广泛应用于数字集成电路中。CMOS反相器的制造工艺是集成电路专业学生需要掌握的技能点,现有的集成电路教学过程中,通常是通过PPT进行教学讲解,学生无法直观了解和查看CMOS反相器的结构和制造工艺。因此,亟需提供一种CMOS反相器模具,便于学生对CMOS反相器的结构进行掌握,提升学生的学习兴趣和学习效率。

发明内容

本发明提供了一种教学用CMOS反相器模具,能够对CMOS反相器的结构进行清晰的呈现,便于掌握CMOS反相器的结构,提升学习兴趣及学习效率。

本发明提供的基础方案:

一种教学用CMOS反相器模具,包括模型建立模块和模型打印模块;

所述模型建立模块包括参数生成模块、模型组装模块和参数调整模块;

所述参数生成模块,用于生成若干模具部件的模具参数;

所述模型组装模块,用于根据所述参数生成模块生成的模具参数,对模具部件进行组装,并生成组装效果示意图;

所述参数调整模块,用于根据所述组装效果示意图,调整所述参数生成模块生成的模具参数,并生成调整后的模具参数;

所述模型打印模块,用于根据调整后的模具参数,打印模具部件。

本发明的原理及优点在于:设置模具部件的模具参数,并根据生成的模具参数对模具部件进行组装,并生成组装效果示意图,从而可以通过生成的组装效果示意图查看各模具部件组装后的效果,查看模具参数是否恰当,便于在打印模具部件前对模具部件的模具参数做出调整,避免打印结束后才发现各模具部件存在比例不当、形状有误等问题,节省了打印成本,提高了模具制作效率。通过打印出来的模具部件,可以让学生更加直观、清楚的了解到各模具部件,对CMOS反相器的结构进行清晰的呈现,便于学生掌握CMOS反相器的结构,提升学习兴趣及学习效率。

进一步,所述模具部件包括P型衬底、N型肼结构、N+注入区、N型漏极电极、N型源极电极和N型栅极区。

有益效果:P型衬底、N型肼结构、N+注入区、N型漏极电极、N型源极电极和N型栅极区构成一个N型MOS管。

进一步,所述模具部件还包括P型肼结构、P+注入区、P型漏极电极、P型源极电极和P型栅极区。

有益效果:P型衬底、P型肼结构、P+注入区、P型漏极电极、P型源极电极和P型栅极区构成一个P型MOS管。

进一步,所述N型漏极电极与P型漏极电极连接;所述N型栅极区与P型栅极区连接。

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