[发明专利]一种教学用CMOS反相器模具在审
| 申请号： | 202210162655.3 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114495680A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 卢静;刘睿强;陈方毅;冯筱佳;瞿豪;余志林;马心沂 | 申请（专利权）人： | 重庆电子工程职业学院 |
| 主分类号： | G09B25/00 | 分类号： | G09B25/00 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 赵玉乾 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 教学 cmos 反相器 模具 | ||
1.一种教学用CMOS反相器模具，其特征在于：包括模型建立模块和模型打印模块；
所述模型建立模块包括参数生成模块、模型组装模块和参数调整模块；
所述参数生成模块，用于生成若干模具部件的模具参数；
所述模型组装模块，用于根据所述参数生成模块生成的模具参数，对模具部件进行组装，并生成组装效果示意图；
所述参数调整模块，用于根据所述组装效果示意图，调整所述参数生成模块生成的模具参数，并生成调整后的模具参数；
所述模型打印模块，用于根据调整后的模具参数，打印模具部件。
2.根据权利要求1所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述模具部件包括P型衬底、N型肼结构、N+注入区、N型漏极电极、N型源极电极和N型栅极区。
3.根据权利要求2所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述模具部件还包括P型肼结构、P+注入区、P型漏极电极、P型源极电极和P型栅极区。
4.根据权利要求3所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述N型漏极电极与P型漏极电极连接；所述N型栅极区与P型栅极区连接。
5.根据权利要求4所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述组装效果示意图包括模型展示面和模型背面；所述模型展示面用于展示模具部件；
所述模具部件还包括栅极电极，所述N型栅极区与P型栅极区通过栅极电极连接；
所述栅极电极设置于模型背面；所述N型漏极电极、N型源极电极、P型漏极电极和P型源极电极均设置于模型展示面。
6.根据权利要求1所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述模型打印模块预存有温度阈值范围；所述模型打印模块用于根据温度阈值范围，打印模具部件。
7.根据权利要求1所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述参数调整模块包括间距分析模块和调整模块；
所述间距分析模块，用于分析所述组装效果示意图中，相邻模具部件的间隔距离值；
所述调整模块，用于根据相邻模具部件的间隔距离值，调整所述参数生成模块生成的模具参数。
8.根据权利要求1所述的教学用CMOS反相器模具，其特征在于：所述模型打印模块通过3D打印的方式打印模具部件。
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