[发明专利]用于小尺寸芯片的双频率输出方法、装置及小尺寸芯片在审
申请号: | 202210156329.1 | 申请日: | 2022-02-21 |
公开(公告)号: | CN114531150A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 吴亦博 | 申请(专利权)人: | 南京益昂通信技术有限公司 |
主分类号: | H03L1/02 | 分类号: | H03L1/02;G06F1/08 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 苏一帜 |
地址: | 211899 江苏省南京市浦口*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 尺寸 芯片 双频 输出 方法 装置 | ||
1.一种适用于小尺寸芯片的双频率输出方法,其特征在于,所述小尺寸芯片采用单个MHz级晶体振荡器作为振荡源,所述MHz级晶体振荡器同时连接MHz级时钟驱动器和kHz级频率分频器,其中,由MHz级时钟驱动器控制MHz级频率输出的开关状态,由kHz级时钟驱动器控制kHz级频率输出的开关状态;
在确认当前所需的频率输出后,通过所述MHz级时钟驱动器和所述kHz级时钟驱动器分别控制MHz级频率输出的开关状态和kHz级频率输出的开关状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当需要进行温度补偿时,触发温度补偿模块运行,其中,温度补偿的工作模式包括:高精度补偿模式和低功耗模式。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
当进入所述高精度补偿模式时,通过所述温度补偿模块检测所述MHz级晶体振荡器内部的晶体谐振器的温度信息;
根据检测到的温度信息和谐振器温度特性,获取所述MHz级晶体振荡器的频率偏移量,并根据所述频率偏移量修改所述MHz级晶体振荡器内部的负载电容的容值。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:
当进入所述低功耗模式时,通过所述温度补偿模块检测所述MHz级晶体振荡器内部的晶体谐振器的温度信息;
根据检测到的温度信息和谐振器温度特性,获取所述MHz级晶体振荡器的频率偏移量,并根据所述频率偏移量修改所述kHz级频率分频器的分频比。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述小尺寸芯片中安装有一颗MHz级的晶体振荡器作为振荡源,产生MHz级振荡信号;
所述MHz级的晶体振荡器的组成部分,包括:MHz级晶体谐振器、振荡电路和负载电容。
6.根据权利要求1或5所述的方法,其特征在于,当所述MHz级晶体振荡器产生的MHz级的振荡信号输入所述MHz级时钟驱动器时,所述MHz级时钟驱动器产生MHz级频率输出;
当所述MHz级晶体振荡器产生的MHz振荡信号输入所述kHz级频率分频器时,所述kHz级频率分频器将MHz级的振荡信号向kHz级转换,并将转换后的kHz级别的振荡信号输入kHz级时钟驱动器并产生kHz级频率输出。
7.一种于小尺寸芯片,其特征在于,包括:
在所述小尺寸芯片中安装有一颗MHz级晶体振荡器作为振荡源并产生MHz级振荡信号,所述MHz级的晶体振荡器的组成部分,包括:晶体谐振器、振荡电路和负载电容;
所述MHz级晶体振荡器与MHz级时钟驱动器和kHz级频率分频器连接,所述kHz级频率分频器连接kHz级时钟驱动器。
8.根据权利要求7所述的小尺寸芯片,其特征在于,所述MHz级晶体振荡器产生的MHz级的振荡信号输入所述MHz级时钟驱动器后,所述MHz级时钟驱动器产生MHz级频率输出;
所述MHz级晶体振荡器产生的MHz振荡信号输入所述kHz级频率分频器后,所述kHz级频率分频器输出转换为kHz级别的振荡信号,再输入所述kHz级时钟驱动器,所述kHz级时钟驱动器产生kHz级频率输出。
9.根据权利要求8所述的小尺寸芯片,其特征在于,所述MHz级时钟驱动器用于控制MHz级频率输出的开关状态;kHz级时钟驱动器用于控制kHz级频率输出的开关状态。
10.一种适用于小尺寸芯片的双频率输出装置,其特征在于,包括:
补偿触发单元,用于当需要进行温度补偿时,触发温度补偿模块运行,其中,进行温度补偿的工作模式包括:高精度补偿模式和低功耗模式;
高精度补偿单元,用于当进入所述高精度补偿模式时,通过所述温度补偿模块检测所述MHz级晶体振荡器内部的晶体谐振器的温度信息;根据检测到的温度信息和谐振器温度特性,获取所述MHz级晶体振荡器的频率偏移量,并根据所述频率偏移量修改所述MHz级晶体振荡器内部的负载电容的容值;
低功耗补偿单元,用于当进入所述低功耗模式时,通过所述温度补偿模块检测所述MHz级晶体振荡器内部的晶体谐振器的温度信息;根据检测到的温度信息和谐振器温度特性,获取所述MHz级晶体振荡器的频率偏移量,并根据所述频率偏移量修改所述kHz级频率分频器的分频比。
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