[发明专利]等离子体处理装置、及等离子体处理方法

说明书

本发明提供一种可抑制由污染物引起的污染的等离子体处理装置、及等离子体处理方法。实施方式的等离子体处理装置包括：第一腔室；第一排气部；等离子体产生部；第一气体供给部；第二腔室；搬送部；第二排气部；第二气体供给部；以及控制器。所述控制器在进行所述搬送部对所述处理物的搬送时，控制所述第二排气部，以使所述第二腔室内部的压力成为与所述第一腔室内部的压力大致同等，在所述搬送部对所述处理物的搬送结束时，控制所述第二气体供给部，而向所述第二腔室的内部供给所述气体。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置、及等离子体处理方法。

背景技术

利用等离子体的干燥工艺例如是在制造微细结构体时被运用。例如，在半导体装置、平板显示器、光掩模等的制造中，进行蚀刻处理、灰化处理、损害的去除等各种等离子体处理。

在进行此种等离子体处理的等离子体处理装置例如设置有对处理物实施等离子体处理的工艺腔室、经由闸阀与工艺腔室连接的传输腔室(transfer chamber)、设置于传输腔室的内部且在与工艺腔室之间搬送处理物的搬送机械手等。

此处，在传输腔室的内部，有时会产生包含有机物的污染物。由于在传输腔室的内部进行处理物的搬送，因此若产生污染物，则有所产生的污染物附着于处理物的表面之虞。在此情况下，若将附着有污染物的处理物搬入至工艺腔室，并进行等离子体处理，则有制品的品质受到影响之虞。另外，若将附着有污染物的处理物从传输腔室搬出至外部，则有后续工序的处理受到影响之虞。

因此，提出了一种抑制处理物被污染物污染的技术(例如，参照专利文献1、专利文献2)。

但是，近年来，微细结构体的材料的多样化或微细化等推进，从而有污染物对品质的影响变大之虞。

因此，期望开发出可进一步抑制由污染物引起的污染的技术。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平6-196540号公报

[专利文献2]日本专利特开2003-17478号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明所要解决的问题在于，提供一种可抑制由污染物引起的污染的等离子体处理装置、及等离子体处理方法。

[解决问题的技术手段]

实施方式的等离子体处理装置包括：第一腔室，维持较大气压经减压的气体环境，能够在内部载置处理物；第一排气部，能够将所述第一腔室的内部减压至规定压力；等离子体产生部，能够产生所述等离子体；第一气体供给部，能够向所述第一腔室的内部且为产生所述等离子体的区域供给工艺气体；第二腔室，经由闸阀与所述第一腔室连接，能够维持较大气压经减压的气体环境；搬送部，设置于所述第二腔室的内部，能够在与所述第一腔室之间搬送所述处理物；第二排气部，能够将所述第二腔室的内部减压至规定压力；第二气体供给部，能够向所述第二腔室的内部供给气体；以及控制器，能够对所述搬送部、所述第二排气部、及所述第二气体供给部进行控制。所述控制器在进行所述搬送部对所述处理物的搬送时，控制所述第二排气部，以使所述第二腔室内部的压力成为与所述第一腔室内部的压力大致同等，在所述搬送部对所述处理物的搬送结束时，控制所述第二气体供给部，而向所述第二腔室的内部供给所述气体。

[发明的效果]

根据本发明的实施方式，提供一种可抑制由污染物引起的污染的等离子体处理装置、及等离子体处理方法。

附图说明

图1是用于例示本实施方式的等离子体处理装置的布局图。

图2是用于例示处理部的一例的示意剖面图。