[发明专利]等离子体处理装置、及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

第一腔室，维持较大气压经减压的气体环境，能够在内部载置处理物；

第一排气部，能够将所述第一腔室的内部减压至规定压力；

等离子体产生部，能够产生所述等离子体；

第一气体供给部，能够向所述第一腔室的内部且为产生所述等离子体的区域供给工艺气体；

第二腔室，经由闸阀与所述第一腔室连接，能够维持较大气压经减压的气体环境；

搬送部，设置于所述第二腔室的内部，能够在与所述第一腔室之间搬送所述处理物；

第二排气部，能够将所述第二腔室的内部减压至规定压力；

第二气体供给部，能够向所述第二腔室的内部供给气体；以及

控制器，能够对所述搬送部、所述第二排气部、及所述第二气体供给部进行控制，

所述控制器是

在进行所述搬送部对所述处理物的搬送时，控制所述第二排气部，以使所述第二腔室内部的压力成为与所述第一腔室内部的压力大致同等，

在所述搬送部对所述处理物的搬送结束时，控制所述第二气体供给部，而向所述第二腔室的内部供给所述气体。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述控制器在所述第一腔室与所述第二腔室之间利用所述搬送部搬送所述处理物之后，通过供给所述气体，而使所述第二腔室内部的压力高于搬送所述处理物时的所述第一腔室内部的压力。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述控制器通过供给所述气体，而使所述第二腔室内部的压力为5×10^-3Pa以上。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，所述控制器在所述第二腔室内不存在所述处理物的情况下，控制所述第二排气部，而使所述第二腔室内部的压力为5×10^-3Pa以上。

5.一种等离子体处理方法，是对处理物进行等离子体处理的等离子体处理方法，包括：

在具有较大气压经减压的气体环境的第一区域中，对所述处理物进行等离子体处理的工序；以及

在远离所述第一区域的第二区域与所述第一区域之间搬送所述处理物的工序，

在进行所述处理物的搬送时，使所述第二区域的气体环境的压力成为与所述第一区域的气体环境的压力大致同等，

在所述处理物的搬送结束时，向所述第二区域供给气体。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，在进行了所述处理物的搬送之后，通过供给所述气体，而使所述第二区域的气体环境的压力高于进行所述处理物的搬送时的所述第一区域的气体环境的压力。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理方法，其中，通过供给所述气体，而使所述第二区域的气体环境的压力为5×10^-3Pa以上。