[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括在基板上形成多个层叠体，所述层叠体各自形成为包括层叠在所述基板上的多个半导体芯片。所述方法还包括在所述层叠体上配置将所述层叠体相互连结的多个第1引线。所述方法还包括在所述层叠体以及所述第1引线上形成树脂层。所述方法还包括使所述树脂层的上表面降低，直到所述第1引线在所述树脂层的上表面露出。

本申请以2021年5月24日提出申请的在先的日本专利申请第2021-87166号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

在半导体芯片上形成树脂层的情况下，通过什么样的方法形成树脂层成为问题。例如，在对半导体芯片上的树脂层进行研磨(polish)或者磨削(grind)时，通过什么的方法对研磨或者磨削的终点进行检测成为问题。

发明内容

一个实施方式提供能够在半导体芯片上适当地形成树脂层的半导体装置及其制造方法。

根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括在基板上形成多个层叠体，所述层叠体各自形成为包括层叠在所述基板上的多个半导体芯片。所述方法还包括在所述层叠体上配置将所述层叠体相互连结的多个第1引线。所述方法还包括在所述层叠体以及所述第1引线上形成树脂层。所述方法还包括使所述树脂层的上表面降低，直到所述第1引线在所述树脂层的上表面露出。

根据上述的构成，能够提供能在半导体芯片上适当地形成树脂层的半导体装置及其制造方法。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的构造的剖视图。

图2是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图4是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。

图5是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(1/6)。

图6是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(2/6)。

图7是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(3/6)。

图8是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(4/6)。

图9是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(5/6)。

图10是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(6/6)。

图11是表示第2实施方式的半导体装置的构造的剖视图。

图12是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图13是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图14是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(1/5)。

图15是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(2/5)。

图16是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(3/5)。

图17是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(4/5)。

图18是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(5/5)。

图19是表示第2实施方式的终点检测方法的第1例的剖视图。

图20是表示第2实施方式的终点检测方法的第2例的剖视图。