[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基板上形成第1层叠体和第2层叠体，所述第1层叠体是层叠多个形成有多个第1端子的第1半导体芯片而形成的，所述第2层叠体是层叠多个形成有多个第2端子的第2半导体芯片而形成的；

形成从所述多个第1端子和所述多个第2端子在所述第1层叠体的层叠方向即第1方向上延伸的多个第1引线；

形成将所述第1层叠体与所述第2层叠体连接的第2引线；

以使得将所述第1层叠体、所述第2层叠体、所述多个第1引线以及所述第2引线覆盖的方式形成树脂层；以及

使所述树脂层的上表面降低，直到所述第2引线的至少一部分从所述树脂层的上表面露出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

所述第1层叠体还包括金属片，

所述第2引线的一端部连接在所述金属片上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

所述第1层叠体还包括：在俯视下具有比所述第1半导体芯片的面积小的面积的、设置在所述第1半导体芯片上的第3半导体芯片。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，

所述第3半导体芯片对所述第1半导体芯片的工作进行控制。

5.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，

在俯视下，所述金属片的面积比所述第1半导体芯片的面积小。

6.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，

所述第3半导体芯片和所述金属片形成在所述第1半导体芯片上。

7.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，

在俯视下，所述金属片的面积与所述第1半导体芯片的面积相同。

8.根据权利要求3或者4所述的半导体装置的制造方法，

所述金属片配置在所述第1半导体芯片上，所述第3半导体芯片配置在所述金属片上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

在沿着与所述第1方向垂直的方向即第2方向形成了所述第1层叠体和所述第2层叠体时，

在俯视下，所述第2引线沿着所述第2方向延伸。

10.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，

所述第2引线的一端部与所述第1端子连接。

11.一种半导体装置，具备：

基板；

层叠体，其层叠在所述基板上，包括多个形成有多个第1端子的半导体芯片；

树脂层，其设置在所述层叠体上；

第1引线，其一端部与所述多个第1端子中的一个连接，从所述第1端子在所述树脂层内沿着所述层叠体的层叠方向即第1方向延伸；以及

第2引线，其一端部设置于所述层叠体中的任一个，在所述第1方向上延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

所述层叠体还包括设置在所述半导体芯片上的金属片，

所述第2引线的所述一端部与所述金属片连接。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，

所述层叠体包括第1半导体芯片和在俯视下具有比所述第1半导体芯片的面积小的面积的第2半导体芯片来作为所述半导体芯片，

所述金属片设置在所述第1半导体芯片上。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，

所述第2引线的所述一端部与所述多个第1端子中的一个连接。

15.根据权利要求11～14中任一项所述的半导体装置，

还具备设置在所述树脂层上且与所述层叠体电连接的第1再布线层。