[发明专利]一种单片式晶圆清洗装置有效
申请号: | 202210142064.X | 申请日: | 2022-02-16 |
公开(公告)号: | CN114512427B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 黄允文;刘二壮;刘枫;刘涛;蔡斌;罗银夫 | 申请(专利权)人: | 上海普达特半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/04;B08B13/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 卢炳琼 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单片 式晶圆 清洗 装置 | ||
本发明提供一种单片式晶圆清洗装置,包括防护罩及驱动单元,防护罩至少包括第一防护罩及第二防护罩,且第一防护罩位于第二防护罩的外围;驱动单元包括连接件、旋转件及驱动件,其中,连接件与防护罩对应设置,且连接件的第一端与防护罩相连接,旋转件设置有倾斜槽,倾斜槽与防护罩对应设置,连接件的第二端位于倾斜槽内,驱动件与旋转件相连接,通过驱动件带动旋转件往复旋转,且防护罩沿倾斜槽进行升降,以提供不同的药液流道。本发明的单片式晶圆清洗装置仅通过一套驱动单元,即可同时对多个防护罩的位置进行调节,从而可减少驱动单元数量、节约设备空间、降低日常维护及调控复杂度,且可降低成本。
技术领域
本发明属于半导体设备领域,涉及一种单片式晶圆清洗装置。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中,湿法清洗是获得高质量产品的关键工艺之一。清洗设备逐渐由批量清洗方式转变成单片清洗方式,以提高清洗质量,进而提高良率。
在单片清洗机台中,具有多个收容杯(CUP)的晶圆清洗得到广泛引用,该晶圆清洗设备可通过不同的CUP用以收集晶圆清洗工艺过程中的不同药液,使其排放至不同的下排端口。现有的单片式晶圆清洗装置是通过CUP的升降来形成不同的药液流道,以达到将不同药液下排至对应端口的目的。其中,CUP的升降一般由马达和联轴器来驱动,且每一个CUP对应一套驱动单元,以对不同的CUP进行单独控制。
如图1显示为现有技术中具有第一CUP及第二CUP的单片式晶圆清洗装置的结构示意图,其中,晶圆30在腔室内进行清洗工艺,使用的药液会随着晶圆30的转动甩到CUP内,然后流至下排口,排放至正确的厂务轨道内。当第一CUP的第一防护罩11升起时,第一CUP的第一防护罩11与第二CUP的第二防护罩12之间形成药液流道,此时对应为药液A下排;当第一CUP的第一防护罩11及第二CUP的第二防护罩12同时升起时,第一CUP的第一防护罩11与第二CUP的第二防护罩12相贴合,在第二CUP的第二防护罩12的内侧形成药液流道,此时对应为药液B下排,如图1。从而在单片式晶圆清洗装置中,通过控制第一CUP的第一防护罩11及第二CUP的第二防护罩12的升降,可实现对不同药液的收集,但该种类型的单片式晶圆清洗装置具有缺点:该装置需要根据CUP的具体个数来设置对应的驱动单元的套数,占用空间,日常维护比较麻烦,调控较为复杂,且成本较高。
因此,提供一种单片式晶圆清洗装置,实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种单片式晶圆清洗装置,用于解决现有技术中单片式晶圆清洗装置驱动单元多、占用空间大、日常维护麻烦、调控复杂,以及成本较高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种单片式晶圆清洗装置,所述单片式晶圆清洗装置包括:
防护罩,所述防护罩至少包括第一防护罩及第二防护罩,且所述第一防护罩位于所述第二防护罩的外围;
驱动单元,所述驱动单元包括:
连接件,所述连接件与所述防护罩对应设置,且所述连接件的第一端与所述防护罩相连接;
旋转件,所述旋转件设置有倾斜槽,所述倾斜槽与所述防护罩对应设置,所述连接件的第二端位于所述倾斜槽内;
驱动件,所述驱动件与所述旋转件相连接,通过所述驱动件带动所述旋转件往复旋转,且所述防护罩沿所述倾斜槽进行升降,以提供不同的药液流道。
可选地,与所述防护罩对应设置的多个所述倾斜槽的底端位于同一水平面,且顶端具有高度差。
可选地,所述防护罩对应的所述倾斜槽的高度差的范围包括2cm-6cm。
可选地,所述旋转件包括具有倾斜槽的凸轮轴或具有倾斜槽的支架。
可选地,所述旋转件上设置有限位件,通过所述限位件对所述连接件的第二端进行限位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造