[发明专利]一种单片式晶圆清洗装置有效
| 申请号： | 202210142064.X | 申请日： | 2022-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN114512427B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 黄允文;刘二壮;刘枫;刘涛;蔡斌;罗银夫 | 申请（专利权）人： | 上海普达特半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/04;B08B13/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 式晶圆 清洗 装置 | ||
1.一种单片式晶圆清洗装置，其特征在于，所述单片式晶圆清洗装置包括：
防护罩，所述防护罩至少包括第一防护罩及第二防护罩，且所述第一防护罩位于所述第二防护罩的外围；
驱动单元，所述驱动单元包括：
连接件，所述连接件与所述防护罩对应设置，且所述连接件的第一端与所述防护罩相连接；
旋转件，所述旋转件设置有倾斜槽，所述倾斜槽与所述防护罩对应设置，所述连接件的第二端位于所述倾斜槽内；
驱动件，所述驱动件与所述旋转件相连接，通过所述驱动件带动所述旋转件往复旋转，且所述防护罩沿所述倾斜槽进行升降，以提供不同的药液流道。
2.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：与所述防护罩对应设置的多个所述倾斜槽的底端位于同一水平面，且顶端具有高度差。
3.根据权利要求2所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述防护罩对应的所述倾斜槽的高度差的范围包括2cm-6cm。
4.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述旋转件包括具有倾斜槽的凸轮轴或具有倾斜槽的支架。
5.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述旋转件上设置有限位件，通过所述限位件对所述连接件的第二端进行限位。
6.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述倾斜槽为具有高低两档的凹槽。
7.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述驱动件包括马达，所述马达包括气动式马达、电动式马达及液压式马达中的一种。
8.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述驱动件带动所述旋转件进行往复旋转的角度范围为30°-60°。
9.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述防护罩还包括第三防护罩。
10.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗装置，其特征在于：所述驱动单元还包括与所述驱动件电连接的控制器，通过所述控制器控制所述驱动件的运行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
