[发明专利]一种梯形声表面波滤波器

权利要求书

1.一种梯形声表面波滤波器，其特征在于，包括：

声表面滤波器元件，包括基板、串联臂和并联臂，所述串联臂和所述并联臂形成于同一所述基板上；

所述串联臂包括多个串联谐振器组，所述串联谐振器组包括多个串联谐振器，所述串联臂连接输入端子和输出端子；

所述并联臂包括多个并联谐振器组，所述并联谐振器组包括多个并联谐振器，连接所述串联臂和接地端子；

以及，容纳所述声表面滤波器元件的封装结构，所述封装结构与所述声表面滤波器元件通过凸块连接。

2.根据权利要求1所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述串联谐振器组的数量与所述并联谐振器组的数量相同，所述串联谐振器的数量多于所述并联谐振器的数量。

3.根据权利要求1或2所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，

所述串联谐振器组沿所述输入端子到所述输出端子之间依次设置第一串联谐振器组、第二串联谐振器组、第三串联谐振器组和第四串联谐振器组；

所述并联谐振器组包括第一并联谐振器组、第二并联谐振器组、第三并联谐振器组和第四并联谐振器组；

所述第一并联谐振器组被连接在所述第一串联谐振器组和第二串联谐振器组形成的连接点与所述接地端子之间。

4.根据权利要求1所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述封装结构和/或所述基板提供至少一个与所述并联谐振器组连接的电感分量。

5.根据权利要求3所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述第一并联谐振器组包含第一并联谐振器和第二并联谐振器，所述第一并联谐振器包括第一IDT电极和设置在第一IDT电极两侧的第一反射器，所述第二并联谐振器包括第二IDT电极和设置在第二IDT电极两侧的第二反射器；

所述第一IDT电极和第二IDT电极通过公用汇流条串联连接；

所述第一IDT电极包括相对设置的第一汇流条和所述公用汇流条，所述第二IDT电极包括相对设置的第二汇流条和所述公用汇流条。

6.根据权利要求5所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述公用汇流条与设置在所述第一IDT电极或第二IDT电极一侧的任一反射器连接。

7.根据权利要求5所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述第一汇流条包括多个第一电极指和多个第一虚指电极，所述第一电极指与所述第一虚指电极交替设置；

所述第二汇流条包括多个第二电极指和多个第二虚指电极，所述第二电极指与所述第二虚指电极交替设置；

所述公用汇流条包括多个所述第一虚指电极和多个所述第二虚指电极对应设置的多个电极指。

8.根据权利要求3所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述第二串联谐振器组包含第一串联谐振器、第二串联谐振器和第三串联谐振器，所述第一串联谐振器包括第一IDT电极和设置在第一IDT电极两侧的第一反射器，所述第二串联谐振器包括第二IDT电极和设置在第二IDT电极两侧的第二反射器，所述第三串联谐振器包括第三IDT电极和设置在第三IDT电极两侧的第三反射器；

所述第一反射器和所述第二反射器通过第一公用汇流条串联连接，所述第二反射器和第二反射器通过第二公用汇流条串联连接。

9.根据权利要求1所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，与所述串联臂接触的所述基板表面为具有欧拉角为(0，θ，φ)的单晶铌酸锂或钽酸锂，30°≤θ≤128°，0°≤φ≤90°。

10.根据权利要求4所述的梯形声表面波滤波器，其特征在于，所述基板包括压电单晶基板、接合层与支撑层，所述接合层位于所述压电单晶基板与所述支撑层之间，所述串联臂和所述并联臂位于压电单晶基板远离支撑层一侧的表面上，所述封装结构包括第一封装结构和第二封装结构，所述第一封装结构与第二封装结构围成中空结构，所述第一封装结构与所述凸块相接触，所述支撑层与第二封装结构相接触。