[发明专利]等离子体处理装置的检查方法在审
| 申请号: | 202210136498.9 | 申请日: | 2022-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN115116874A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 吉森大晃;嘉瀬庆久;中泽和辉 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 严罗一;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 检查 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置的检查方法,所述等离子体处理装置包括:
第一腔室,维持较大气压经减压的气体环境,能够在内部载置处理物;
第一排气部,能够将所述第一腔室的内部减压至规定压力;
等离子体产生部,能够产生所述等离子体;
第一气体供给部,能够向所述第一腔室的内部且为产生所述等离子体的区域供给工艺气体;
第二腔室,经由闸阀与所述第一腔室连接,能够维持较大气压经减压的气体环境;
搬送部,设置于所述第二腔室的内部,能够在与所述第一腔室之间搬送所述处理物;
第二排气部,能够将所述第二腔室的内部减压至规定压力;
第二气体供给部,能够向所述第二腔室的内部供给气体;以及
控制器,能够对所述搬送部、所述第二排气部、及所述第二气体供给部进行控制,且所述等离子体处理装置的检查方法包括第一粒子测定工序,
所述第一粒子测定工序包括:
在利用所述搬送部进行检查用晶片从所述第二腔室向所述第一腔室的搬送时,控制所述第二排气部,以使所述第二腔室内部的压力成为与所述第一腔室内部的压力大致同等的工序;
在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第一腔室的搬送结束时,控制所述第二气体供给部,而向所述第二腔室的内部供给所述气体的工序;
在搬入了所述检查用晶片的所述第一腔室内进行等离子体处理的工序;
在利用所述搬送部进行检查用晶片从所述第一腔室向所述第二腔室的搬送时,控制所述第二排气部,以使所述第二腔室内部的压力成为与所述第一腔室内部的压力大致同等的工序;
在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第二腔室的搬送结束时,控制所述第二气体供给部,而向所述第二腔室的内部供给所述气体的工序;以及
对附着于从所述第二腔室搬出的所述检查用晶片的粒子进行测定的工序。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的检查方法,还包括以下工序:
在经由加载互锁部从外部向所述第二腔室搬送所述检查用晶片时,在向所述第二腔室供给所述气体而成为规定的减压状态之后,从所述加载互锁部向所述第二腔室搬送所述检查用晶片的工序。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置的检查方法,还包括第二粒子测定工序,
所述第二粒子测定工序包括:在经由加载互锁部从外部向所述第二腔室搬送所述检查用晶片时,在向所述第二腔室供给所述气体而成为规定的减压状态之后,从所述加载互锁部向所述第二腔室搬送所述检查用晶片的工序;
在从所述加载互锁部向所述第二腔室搬送所述检查用晶片之后,将所述检查用晶片停留在所述第二腔室的工序;
不将所述检查用晶片搬送至所述第一腔室,而从第二腔室搬送至所述加载互锁部的工序;以及
对附着于所述检查用晶片的粒子进行测定的工序。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置的检查方法,其中,实施所述第一粒子测定工序,当检测到粒子后,实施所述第二粒子测定工序。
5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置的检查方法,其中,实施所述第二粒子测定工序,当未检测到粒子时,实施所述第一粒子测定工序。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置的检查方法,其中,通过供给所述气体,而使所述第二腔室内部的压力为5×10-3Pa以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





