[发明专利]等离子体处理装置的检查方法

说明书

本发明提供一种可准确地进行检查用晶片上的粒子的测定的等离子体处理装置的检查方法。实施方式的等离子体处理装置的检查方法包括：利用搬送部从第二腔室向第一腔室搬送检查用晶片的工序；在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第一腔室的搬送结束后，向所述第二腔室的内部供给气体的工序；在所述第一腔室内对所述检查用晶片进行等离子体处理的工序；利用所述搬送部从所述第一腔室向所述第二腔室搬送检查用晶片的工序；在利用所述搬送部进行的所述检查用晶片向所述第二腔室的搬送结束后，向所述第二腔室的内部供给所述气体的工序；以及对附着于从所述第二腔室搬出的所述检查用晶片的粒子进行测定的工序。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种等离子体处理装置的检查方法。

背景技术

利用等离子体的干燥工艺例如是在制造微细结构体时被运用。例如，在半导体装置、平板显示器、光掩模等的制造中，进行蚀刻处理、灰化处理、损害的去除等各种等离子体处理。

在进行此种等离子体处理的等离子体处理装置例如设置有对处理物实施等离子体处理的工艺腔室、经由闸阀与工艺腔室连接的传输腔室(transfer chamber)、设置于传输腔室的内部且在与工艺腔室之间搬送处理物的搬送机械手等。另外，为了将传输腔室内维持为减压气体环境，有时也设置经由闸阀与传输腔室连接的加载互锁腔室。

在所述等离子体处理装置中，在工艺腔室内进行等离子体处理。若反复进行等离子体处理，则有产生源自通过等离子体处理而生成的反应生成物的粒子之虞。若所产生的粒子落下至处理物的表面而附着于处理物的表面，则导致成品率的下降。

另外，粒子未必仅在工艺腔室内产生。例如，通过传输腔室内的搬送机械手的动作而产生，或者在从外部空间将处理物搬入至加载互锁腔室内时混入，或者还通过将腔室彼此连接的闸阀的开闭动作而产生。

因此，需要在对处理物进行处理之前确认是否产生粒子后开始处理。或者，在判明了因粒子引起的不良的产生的情况下，需要查明粒子在哪个腔室内产生。

因此，对于处理室内的状态的检查，已知有以下方法：将与制品用晶片不同的检查用晶片搬送至作为检查对象的处理室来实施处理，对所述检查用晶片上的粒子进行测定，由此来检查处理室内的状态(例如，参照专利文献1)。

但是，在检查腔室内的状态时，有时无法准确地进行检查用晶片上的粒子的测定。

因此，期望开发出一种在检查腔室内的状态时，可准确地进行检查用晶片上的粒子的测定的技术。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2006-179528号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明所要解决的问题在于，提供一种在检查腔室内的状态时，可准确地进行检查用晶片上的粒子的测定的等离子体处理装置的检查方法。

[解决问题的技术手段]