[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路

说明书

本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；所述第一P型漂移区上设有第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的深度小于所述第一P型漂移区的深度；所述第二P型漂移区上设有第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的深度小于所述第二P型漂移区的深度；所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均设有锗硅。所述LDMOSFET通过提高载流子的迁移率，大大提升了自身的驱动能力和驱动速度。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地涉及一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。

背景技术

现有的LDMOSFET（横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，横向扩散MOSFET），通常是使用硅作为衬底材料。由于硅衬底材料的载流子的迁移率不高的限制，所以其驱动能力和速度不是很理想。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。所述LDMOSFET通过提高载流子的迁移率，大大提升了自身的驱动能力和驱动速度。

为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；所述第一P型漂移区上设有第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的深度小于所述第一P型漂移区的深度；所述第二P型漂移区上设有第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的深度小于所述第二P型漂移区的深度；所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均设有锗硅。

可选的，所述锗硅为P型锗硅；所述锗硅在所述第一P型漂移区和第二P型漂移区的形状为不规则六边形。

可选的，所述埋层的深度小于所述衬底的深度；所述第二高压P型阱的深度小于所述高压N型阱的深度；所述第一P型漂移区的深度、N型体区的深度及第二P型漂移区的深度均小于所述第二高压P型阱的深度。

可选的，所述衬底为P型衬底。

可选的，所述第一高压P型阱与所述衬底间设有外延层。

可选的，所述LDMOSFET还设有场氧结构，用于隔离。

另一方面，本发明提供一种LDMOSFET的制备方法，包括：形成衬底；所述衬底上方形成埋层；所述埋层和衬底上方形成高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方形成第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次形成第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；所述第一P型漂移区上形成第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的下部高于所述第一P型漂移区的下部；所述第二P型漂移区上形成第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的下部高于所述第二P型漂移区的下部；所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均形成锗硅。

可选的，所述第一P型漂移区和第二P型漂移区中的锗硅的形状为不规则六边形。

可选的，所述LDMOSFET上方氧化一层SiO2；刻蚀所述SiO2；刻蚀所述第一P型漂移区形成第一沟道漏极；刻蚀所述第二P型漂移区形成第二沟道漏极；外延锗硅至刻蚀后的第一沟道漏极和第二沟道漏极；CMP所述第一沟道漏极和第二沟道漏极表面多余的锗硅。

可选的，所述第一P型漂移区和第二P型漂移区的刻蚀方法为干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一种。

另一方面，本发明提供一种芯片，该芯片包括上述所述的LDMOSFET。

另一方面，本发明提供一种电路，该电路包括上述所述的LDMOSFET。