[发明专利]一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路在审
| 申请号： | 202210132826.8 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188402A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/161;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmosfet 制备 方法 芯片 电路 | ||
1.一种LDMOSFET，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上设有埋层；
所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；
所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；
所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；
所述第一P型漂移区上设有第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的深度小于所述第一P型漂移区的深度；
所述第二P型漂移区上设有第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的深度小于所述第二P型漂移区的深度；
所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均设有锗硅。
2.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，
所述锗硅为P型锗硅；
所述锗硅在所述第一P型漂移区和第二P型漂移区的形状为不规则六边形。
3.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，
所述埋层的深度小于所述衬底的深度；
所述第二高压P型阱的深度小于所述高压N型阱的深度；
所述第一P型漂移区的深度、N型体区的深度及第二P型漂移区的深度均小于所述第二高压P型阱的深度。
4.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，
所述衬底为P型衬底。
5.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，
所述第一高压P型阱与所述衬底间设有外延层。
6.根据权利要求1所述的LDMOSFET，其特征在于，
所述LDMOSFET还设有场氧结构，用于隔离。
7.一种LDMOSFET的制备方法，特征在于，包括：
形成衬底；
所述衬底上方形成埋层；
所述埋层和衬底上方形成高压N型阱和第一高压P型阱；
所述高压N型阱上方形成第二高压P型阱；
所述第二高压P型阱上方依次形成第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；
所述第一P型漂移区上形成第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的下部高于所述第一P型漂移区的下部；
所述第二P型漂移区上形成第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的下部高于所述第二P型漂移区的下部；
所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均形成锗硅。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
所述第一P型漂移区和第二P型漂移区中的锗硅的形状为不规则六边形。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，
所述LDMOSFET上方氧化一层SiO2；
刻蚀所述SiO2；
刻蚀所述第一P型漂移区形成第一沟道漏极；
刻蚀所述第二P型漂移区形成第二沟道漏极；
外延锗硅至刻蚀后的第一沟道漏极和第二沟道漏极；
CMP所述第一沟道漏极和第二沟道漏极表面多余的锗硅。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，
所述第一P型漂移区和第二P型漂移区的刻蚀方法为干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一种。
11.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-6中任一项所述的LDMOSFET。
12.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-6中任一项所述的LDMOSFET。
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