[发明专利]显示面板的制作方法在审
申请号: | 202210122176.9 | 申请日: | 2022-02-09 |
公开(公告)号: | CN114551539A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 林高波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
本申请提供一种显示面板的制作方法,显示面板包括显示区和位于显示区边缘的封装区,显示面板的制作方法包括如下步骤:提供一基板;在基板上设置器件层;在器件层上设置钝化层;钝化层在显示区具有连接孔;连接孔延伸至器件层位于显示区内的源漏极;在钝化层上设置平坦层;平坦层在显示区具有第一通孔,第一通孔延伸至与连接孔相接;在平坦层的显示区上设置像素电极层;像素电极层通过第一通孔和连接孔与器件层的源漏极导通;在像素电极层上设置保护层;采用干法刻蚀技术将平坦层在封装区的部分去除;剥离保护层。本申请实施例提供的显示面板的制作方法保证了平坦层的平坦度,从而保证了上层像素电极层的平整度,以保证了显示面板的使用性能。
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制作方法。
背景技术
现有的显示面板,通常包括依次设置的基板层、器件层、钝化层、平坦层、像素电极层和发光层等,器件层包括显示区和位于显示区边缘的封装区,钝化层和平坦层对应显示区的位置依次开设有连接孔和通孔,使得上层的像素电极层能依次通过通孔和连接孔与器件层的源漏极电连接,以使漏极的电信号能传到像素电极层,以使发光层能发出光线;而钝化层对应封装区的位置开设有外接孔,外接孔与器件层的源漏极接通,用于外接信号,为保证封装区后续的封装效果,封装区上方通常不设置平坦层,而是在外接孔上填充能防水汽的无机材料。
相关技术中,在制作上述显示面板时,为了减少光罩,通常先在钝化层上对应显示区和封装区的位置均覆盖有平坦层,然后开设完通孔、连接孔和外接孔后,再采用干法刻蚀的方法将平坦层对应封装区的部分去除掉,然后再在剩下的平坦层上设置像素电极层。然而由于干法刻蚀工艺具有整面性,在去除封装区上的平坦层时,显示区上的平坦层也会受损而减薄,从而影响了平坦层的平坦度,进而影响上层的像素电极层的平整度,影响了显示面板的使用性能。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板的制作方法,以解决现有的显示面板的制作方法导致显示面板的像素电极层的平整度受到影响的问题。
本申请实施例提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括显示区和位于所述显示区边缘的封装区,所述显示面板的制作方法包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上设置器件层;
在所述器件层上设置钝化层;其中,所述钝化层在所述显示区具有连接孔,在所述封装区具有外接孔;所述连接孔延伸至所述器件层位于所述显示区内的源漏极,所述外接孔延伸至所述器件层位于所述封装区内的源漏极;
在所述钝化层上设置平坦层;其中,所述平坦层在所述显示区具有第一通孔,在所述封装区具有第二通孔,所述第一通孔延伸至与所述连接孔相接,所述第二通孔延伸至与所述外接孔相接;
在所述平坦层的显示区上设置像素电极层;其中,所述像素电极层通过所述第一通孔和连接孔与所述器件层的源漏极导通;
在所述像素电极层上设置保护层;
采用干法刻蚀技术将所述平坦层在所述封装区的部分去除;
剥离所述保护层。
可选地,在所述钝化层上设置平坦层的步骤包括:
在所述钝化层上涂布有机光阻材料;
对所述有机光阻材料进行曝光处理;
对所述有机光阻材料进行显影处理,以形成第一通孔和第二通孔。
可选地,所述保护层由光阻剂制成。
可选地,在所述像素电极层上设置保护层的步骤包括:
在所述像素电极层上涂布光阻剂;
对所述光阻剂进行曝光处理;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210122176.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的