[发明专利]显示面板的制造方法及显示面板

说明书

本申请公开了一种显示面板的制造方法及显示面板，本申请通过同一光罩同时形成两个第一通孔、第一开孔和第一开口，且通过同一光罩同时形成两个第二通孔、位于第一开孔内的第二开孔，以及位于第一开口内的第二开口，可以降低LTPO显示面板的制作工艺的复杂性，减少光罩数量，降低成本。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板的制造方法及显示面板。

背景技术

有机发光显示(Organic Light Emitting Display，OLED)面板等类型的显示面板已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。低温多晶氧化物(LTPO)显示技术由于结合了低温多晶硅(LTPS)和氧化铟镓锌(IGZO)两种薄膜晶体管，因此可以使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特点，同时适用于高频显示和低频显示，已经越来越成为显示面板中炙手可热的技术。

然而，LTPO显示面板存在显示面板的结构复杂，制作工艺繁杂，光罩数量较多，成本高昂的问题。

发明内容

本申请提供一种显示面板的制造方法及显示面板，可以解决因LTPO显示面板存在结构复杂，所导致的制作工艺繁杂，光罩数量较多，成本高昂的问题。

本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括弯折区，包括如下步骤：

步骤S100，提供一基底，在所述基底上形成遮光层，在所述遮光层上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成P型晶体管的P型半导体层和第一栅极，以及N型晶体管的N型半导体层和第二栅极，在所述第二栅极上形成层间绝缘层；

步骤S200：同时形成所述P型晶体管对应的两个第一通孔，以及第一开孔、第一开口，所述第一开口位于所述弯折区；

步骤S300：形成所述N型晶体管对应的两个第二通孔、位于所述第一开孔内的第二开孔，以及位于所述第一开口内的第二开口；

步骤S400：形成源漏极金属层，将所述源漏极金属层图案化形成所述P型晶体管的第一源极和第一漏极、所述N型晶体管第二源极和第二漏极，以及连接电极；其中，所述第一源极和所述第一漏极分别通过两个所述第一通孔连接所述P型半导体层，所述第二源极和所述第二漏极分别通过两个所述第二通孔连接所述N型半导体层，所述连接电极通过所述第一开孔和所述第二开孔连接所述遮光层。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S400中，所述连接电极连接所述第一源极和所述第一漏极中一个，或/和所述连接电极连接所述第二源极和所述第二漏极中一个。

可选地，在本申请的一些实施例中，所述步骤S100包括如下步骤：

步骤S110：提供一基底，在所述基底上形成遮光层，在所述遮光层上形成缓冲层；

步骤S120：在所述缓冲层上形成所述P型半导体层，在所述P型半导体层上形成第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上形成所述第一栅极；

步骤S130：在所述第一栅极上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成电容金属层，将所述电容金属层同时图案化形成存储电容的一电容电极板，以及所述N型晶体管的第三栅极；

步骤S140：在所述第三栅极上形成第二栅极绝缘层，在所述第二栅极绝缘层上形成所述N型半导体层，在所述N型半导体层上形成第三栅极绝缘层，在所述第三栅极绝缘层上形成所述第二栅极，在所述第二栅极上形成所述层间绝缘层。

可选地，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S200中，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层至所述P型半导体层远离所述基底的表面，所述第一开孔和所述第一开口贯穿所述层间绝缘层至所述缓冲层远离所述基底的表面。