[发明专利]显示面板的制造方法及显示面板

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括弯折区，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S100，提供一基底，在所述基底上形成遮光层，在所述遮光层上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成P型晶体管的P型半导体层和第一栅极，以及N型晶体管的N型半导体层和第二栅极，在所述第二栅极上形成层间绝缘层；

步骤S200：同时形成所述P型晶体管对应的两个第一通孔，以及第一开孔、第一开口，所述第一开口位于所述弯折区；

步骤S300：形成所述N型晶体管对应的两个第二通孔、位于所述第一开孔内的第二开孔，以及位于所述第一开口内的第二开口；

步骤S400：形成源漏极金属层，将所述源漏极金属层图案化形成所述P型晶体管的第一源极和第一漏极、所述N型晶体管第二源极和第二漏极，以及连接电极；其中，所述第一源极和所述第一漏极分别通过两个所述第一通孔连接所述P型半导体层，所述第二源极和所述第二漏极分别通过两个所述第二通孔连接所述N型半导体层，所述连接电极通过所述第一开孔和所述第二开孔连接所述遮光层。

2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S400中，所述连接电极连接所述第一源极和所述第一漏极中一个，或/和所述连接电极连接所述第二源极和所述第二漏极中一个。

3.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述步骤S100包括如下步骤：

步骤S110：提供一基底，在所述基底上形成遮光层，在所述遮光层上形成缓冲层；

步骤S120：在所述缓冲层上形成所述P型半导体层，在所述P型半导体层上形成第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上形成所述第一栅极；

步骤S130：在所述第一栅极上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成电容金属层，将所述电容金属层同时图案化形成存储电容的一电容电极板，以及所述N型晶体管的第三栅极；

步骤S140：在所述第三栅极上形成第二栅极绝缘层，在所述第二栅极绝缘层上形成所述N型半导体层，在所述N型半导体层上形成第三栅极绝缘层，在所述第三栅极绝缘层上形成所述第二栅极，在所述第二栅极上形成所述层间绝缘层。

4.如权利要求1至3任一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S200中，所述第一通孔贯穿所述层间绝缘层至所述P型半导体层远离所述基底的表面，所述第一开孔和所述第一开口贯穿所述层间绝缘层至所述缓冲层远离所述基底的表面。

5.如权利要求4所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S300中，所述第二通孔贯穿所述层间绝缘层至所述N型半导体层远离所述基底的表面，所述第二开孔贯穿所述缓冲层至所述遮光层远离所述基底的表面，所述第二开口贯穿所述缓冲层至所述基底靠近所述遮光层的表面。

6.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S300中，所述第二开孔的内径宽度小于所述第一开孔的内径宽度，所述第二开口的内径宽度小于所述第一开口的内径宽度。

7.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一开孔在所述基底上的正投影的中心与所述第二开孔在所述基底上的正投影的中心重叠；

所述第一开口在所述基底上的正投影的中心与所述第二开口在所述基底上的正投影的中心重叠。

8.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述P型半导体层为多晶硅材料，所述N型半导体层为氧化物半导体材料。

9.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S300和所述步骤S400之间还包括：步骤S500：于所述第一开口和所述第二开口内填充有机层；

在所述步骤S400之后还包括：步骤S600：形成发光器件层和封装层。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1至9任一项所述的显示面板的制造方法制造而成。