[发明专利]半导体装置及连续读出方法

权利要求书

1.一种连续读出方法，是与非型闪速存储器的连续读出方法，包括以下步骤：

向与位线连接的晶体管的栅极施加第一电压，经由所述晶体管向位线供给电压而开始位线的预充电；以及

在由施加所述第一电压引起的预充电时间经过了一定时间时，向所述晶体管的栅极施加比所述第一电压低的第二电压。

2.根据权利要求1所述的连续读出方法，其中，所述第二电压为使预充电至位线的电压限制在一定范围的电压电平。

3.根据权利要求1所述的连续读出方法，其中，所述第二电压为使被预充电的位线不会成为浮动状态的电压电平。

4.根据权利要求1所述的连续读出方法，其中，所述一定时间是比所述预充电时间短的时间，所述预充电时间通过所述第一电压的供给来生成位线中所设计的最佳预充电电压。

5.根据权利要求1所述的连续读出方法，其中，施加所述第二电压的步骤在接收读出节点的电荷的锁存电路无法进行初始化时施加所述第二电压，直至能够进行所述锁存电路的初始化为止，所述一定时间是基于判定是否能够进行所述锁存电路的初始化所需要的时间来决定。

6.根据权利要求5所述的连续读出方法，其中，所述连续读出方法还包括在位线的预充电后将所述锁存电路初始化的步骤。

7.根据权利要求6所述的连续读出方法，其中，各所述步骤是在页的连续读出中实施，所述页的连续读出包括：将从存储单元阵列的选择页读出的数据保持于所述锁存电路中，将保持于所述锁存电路中的数据传送至其他锁存电路之后，将从下一选择页读出的数据保持于所述锁存电路中；

与外部时钟信号同步地将保持于所述其他锁存电路中的数据连续地输出至外部；以及

对保持于所述其他锁存电路中的数据进行错误检测与纠正。

8.一种半导体装置，包括：

与非型的存储单元阵列；

读出部件，从所述存储单元阵列的选择页读出数据；以及

输出部件，将由所述读出部件读出的数据输出至外部，

所述读出部件包括经由位线连接于存储单元阵列的页缓冲器/读出电路，

所述页缓冲器/读出电路包括用于向位线供给预充电电压的晶体管，

所述页缓冲器/读出电路在进行位线的预充电时，向所述晶体管的栅极施加第一电压而开始预充电，在预充电时间经过了一定时间时，向所述晶体管的栅极施加比所述第一电压低的第二电压。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二电压为使位线的被预充电的电压限制在一定范围的电压电平。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第二电压为使被预充电的位线不会成为浮动状态的电压电平。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述一定时间是比所述预充电时间短的时间，所述预充电时间通过所述第一电压的供给来生成位线中所设计的最佳预充电电压。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述页缓冲器/读出电路在接收读出节点的电荷的锁存电路无法进行初始化时施加所述第二电压，所述第二电压的施加持续至能够进行所述锁存电路的初始化为止，所述一定时间是基于判定是否能够进行所述锁存电路的初始化所需要的时间来决定。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述读出部件还包括在位线的预充电后将所述锁存电路初始化。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述读出部件进行页的连续读出。