[发明专利]延时装置有效

专利信息
申请号: 202210120719.3 申请日: 2022-02-09
公开(公告)号: CN114448386B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 郭斌;陈佩 申请(专利权)人: 无锡市晶源微电子股份有限公司
主分类号: H03H11/26 分类号: H03H11/26
代理公司: 无锡市观知成专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 32591 代理人: 任月娜
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 延时 装置
【权利要求书】:

1.一种延时装置,其特征在于,包括:电流源、电容器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一开关、第一反相器、第二反相器和第三反相器;

所述电流源的一端与电源连接,所述电流源的另一端分别与所述电容器的正极、所述第二NMOS管的漏极、所述第一开关的第一端以及所述第一反相器的输入端连接,所述电容器的负极分别与所述第一NMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第一开关的第二端均接地,所述第一反相器、所述第二反相器和所述第三反相器依次串联;

其中,根据外部的初始信号控制所述第一开关的导通或者关断;当所述第一开关关断时,所述电流源给所述电容器充电,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管导通并进入亚阈值区以延长所述电容器的充电时间;当所述第一开关导通时,所述电容器放电,其中,在所述电容器充、放电期间,所述电容器的正极的电平信号经所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第一开关处理,并经所述第一反相器、所述第二反相器和所述第三反相器向后级输出一延时信号;

所述延时装置还包括:第一PMOS管、第二开关和第四反相器,所述第一PMOS管的源极与电源连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第二开关的第一端连接,所述第二开关的第二端与所述第二NMOS管的漏极连接,所述第四反相器的输入端与所述第二反相器的输出端连接,所述第一PMOS管的栅极与所述第四反相器的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的延时装置,其特征在于,所述第一开关为第三NMOS管,所述第三NMOS管的第三端接收外部的初始信号,其中,所述第三NMOS管的第一端为漏极,所述第三NMOS管的第二端为源极,所述第三NMOS管的第三端为栅极。

3.根据权利要求1所述的延时装置,其特征在于,所述第二开关为第二PMOS管,所述第二PMOS管的第三端接收外部的初始信号,其中,所述第二PMOS管的第一端为源极,所述第二PMOS管的第二端为漏极,所述第二PMOS管的第三端为栅极。

4.根据权利要求1所述的延时装置,其特征在于,所述第一反相器、所述第二反相器、第三反相器和所述第四反相器均相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市晶源微电子股份有限公司,未经无锡市晶源微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210120719.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top