[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多的功能需要集成至半导体管芯中。因此，半导体管芯需要具有越来越多的封装至更小区域中的I/O焊盘，并且I/O焊盘的密度随着时间而快速上升。因此，半导体管芯的封装变得更加困难，这不利地影响了封装的良率。

在一些封装工艺中，器件管芯在其封装之前从晶圆锯切下来，其中，形成再分布线以连接至器件管芯。这种封装技术的有利特征是形成扇出封装件的可能性，这意味着管芯上的I/O焊盘可以再分布至比管芯更大的区域，并且因此管芯的表面上的I/O焊盘的数量可以增加。这种封装技术的另一有利特征是封装了“已知良好管芯”，并且丢弃了有缺陷的管芯，并且因此不会在有缺陷的芯片上浪费成本和努力。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成第一封装件，包括：在载体上方形成多个再分布线；在所述载体上方形成散热块，其中，所述多个再分布线和所述散热块通过共同的工艺形成，其中，所述散热块具有第一金属密度，并且所述多个再分布线具有小于所述第一金属密度的第二金属密度；在所述载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在所述散热块正上方；以及将所述器件管芯和所述金属杆密封在密封剂中；以及将所述第一封装件从所述载体剥离。

本申请的另一些实施例提供了一种封装件，包括：器件管芯；多个再分布线，位于所述器件管芯下面，其中，所述多个再分布线电连接至所述器件管芯；散热块，位于所述器件管芯下面，其中，所述散热块与所述器件管芯的至少大部分重叠，并且其中，在所述封装件的顶视图中，所述散热块基本横向延伸至所述器件管芯的相对边缘；以及密封剂，将所述器件管芯密封在其中。

本申请的又一些实施例提供了一种封装件，包括：第一封装组件；第二封装组件，位于所述第一封装组件上方并且接合至所述第一封装组件，所述第二封装组件包括：散热块，包括：第一多个部分和第二多个部分，所述第一多个部分形成第一层，并且所述第二多个部分形成第二层，其中，在所述封装件的顶视图中，所述第一多个部分和所述第二多个部分形成网格；以及多个通孔，将所述第一多个部分连接至所述第二多个部分，并且将所述第一多个部分和所述第二多个部分电互连为集成件；器件管芯，与所述散热块重叠；以及第三封装组件，接合至所述第二封装组件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图17示出了根据一些实施例的包括散热块的封装件的形成中的中间阶段的截面图。

图18至图21示出了根据一些实施例的散热块的顶视图。

图22示出了根据一些实施例的包括线部分和通孔部分的散热块的截面图。

图23至图27示出了根据一些实施例的散热块中的两个金属层的顶视图。

图28至图29示出了根据一些实施例的三层散热块的顶视图。

图30示出了根据一些实施例的用于形成包括散热块的封装件的工艺流程。

具体实施方式