[发明专利]显示面板、显示面板母板以及显示面板的制备方法在审
申请号: | 202210110048.2 | 申请日: | 2022-01-29 |
公开(公告)号: | CN114447085A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 林飞杨;姜成才;金香馥;毛隆雨;杜忠波;李爽;范天琪;唐尉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 雷思鸣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 母板 以及 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板、显示面板母板以及显示面板的制备方法,属于显示技术领域。所述显示面板包括:驱动电路、多条第一检测线路和多个开关单元。该显示面板可以通过第一检测线路电连接显示面板外部的检测单元,以对显示面板进行不良检测,且通过在第一检测线路上设置开关单元,并使得该开关单元在显示面板运行时可以处于关闭状态,以避免切割后的显示面板的边缘处造成的第一检测线路短路对显示面板上的其他线路造成影响。可以解决相关技术中第一检测线路之间发生短路不良,进而导致显示面板的良率较低的问题,提升了显示面板的良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、显示面板母板以及显示面板的制备方法。
背景技术
显示面板母板可以包括连接的多个显示面板,对显示面板母板进行切割后,可以得到独立的显示面板。目前,显示面板母板包括显示面板以及位于显示面板外的待切割板,待切割板中会设置检测单元,以对显示面板内部的各种线路进行检测。随着柔性有机发光显示装置(英文:Organic Light-Emitting Diode;简写:OLED)的分辨率提高以及大尺寸产品的应用,显示面板上的线路布置愈加密集。
一种显示面板,包括待检测电路,该待检测线路与显示面板外的检测单元连接。在显示面板的制备过程中,会利用较高能量的激光对显示面板母板进行切割,以将待切割板与显示面板分离。
但是,上述显示面板在利用激光对该显示面板母板进行切割时,显示面板的边缘容易受到激光高能量的影响,发生融合而产生可以导电的碳化异物,导致待检测线路之间发生短路不良,进而导致显示面板的良率较低。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板、显示面板母板以及显示面板的制备方法。所述技术方案如下:
根据本申请的一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括驱动电路和多条第一检测线路;
所述第一检测线路上设置有开关单元,所述第一检测线路的一端与所述驱动电路电连接,所述第一检测线路的另一端延伸至所述显示面板的边缘。
可选地,所述开关单元包括第一开关薄膜晶体管,所述第一检测线路包括第一子线路和第二子线路,所述显示面板还包括控制信号线;
所述第一开关薄膜晶体管包括控制端、第一端和第二端,所述控制端与所述控制信号线电连接,所述第一端与所述第一子线路的一端电连接,所述第二端与所述第二子线路的一端电连接。
可选地,多个所述开关单元中的第一开关薄膜晶体管的控制端与同一根所述控制信号线电连接。
可选地,所述显示面板还包括多个绑定端子,所述多个绑定端子包括至少一个第一控制端子,所述第一控制端子与所述控制信号线电连接。
可选地,所述控制信号线延伸至所述显示面板的边缘。
可选地,所述第一开关薄膜晶体管包括P型薄膜晶体管,所述控制信号线上的电压值与所述第一检测线路上的电压值的电压差值大于所述P型薄膜晶体管的阈值电压;
或者,所述第一开关薄膜晶体管包括N型薄膜晶体管,所述控制信号线的电压值与所述第一检测线路上的电压值的电压差值小于所述N型薄膜晶体管的阈值电压。
可选地,所述显示面板上包括薄膜晶体管阵列,所述驱动电路包括第二开关薄膜晶体管,所述第二开关薄膜晶体管和所述第一开关薄膜晶体管均位于所述薄膜晶体管阵列中。
根据本申请的另一方面,提供了一种显示面板母板,所述显示面板母板包括至少一个显示面板以及位于所述显示面板外的待切割板;
所述显示面板包括驱动电路和多条第一检测线路;
所述第一检测线路上设置有开关单元,所述第一检测线路的一端与所述驱动电路电连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的