[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202210108383.9 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN114911134A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 大村和久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基片处理装置,其特征在于:
所述基片处理装置是对曝光处理前的基片的正面,使用处理液进行处理的基片处理装置,其中,所述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜,
所述基片处理装置包括:
保持所述基片的基片保持部;和
处理液供给部,其对由所述基片保持部保持的所述基片的正面供给以水为主成分的所述处理液。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:
处理液供给部从喷雾嘴对所述基片喷射所述处理液。
3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:
所述喷雾嘴呈圆锥状喷射所述处理液。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
从所述处理液供给部喷出所述处理液的喷出轴相对于所述基片的正面倾斜。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括前处理液供给部,其对被供给所述处理液之前的所述基片的正面,以比从所述处理液供给部喷出所述处理液的喷出压力低的低压供给以水为主成分的前处理液。
6.如权利要求1~5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括后处理液供给部,其对被供给所述处理液之后的所述基片的正面,以比从所述处理液供给部喷出所述处理液的喷出压力低的低压供给以水为主成分的后处理液。
7.如权利要求1~6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:
还包括抗蚀剂涂敷部,其对所述基片涂敷用于形成所述彩色抗蚀剂膜的彩色抗蚀剂,
所述抗蚀剂涂敷部设置在与设置所述处理液供给部的模块不同的模块。
8.一种基片处理方法,其特征在于:
所述基片处理方法是对曝光处理前的基片的正面,使用处理液进行处理的基片处理方法,其中,所述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜,
所述基片处理方法对由基片保持部保持的所述基片的正面,供给以水为主成分的所述处理液。
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