[发明专利]磁目标定位方法、装置、电子设备及存储介质

权利要求书

1.一种磁目标定位方法，其特征在于，所述方法应用于与磁目标呈垂直方向的磁探测阵列，所述磁探测阵列包括呈线性排列的多个磁传感器，所述方法包括：

确定所述磁探测阵列中各所述磁传感器测量得到的关于所述磁目标的磁场强度；

基于所述磁场强度，确定关于所述磁目标的多阶磁场强度导数；

基于所述多阶磁场强度导数，确定所述磁目标在第一方向的磁位点，以及所述磁目标在第二方向距离所述磁探测阵列的磁距离，其中，所述第一方向与所述第二方向呈垂直关系；

基于所述磁位点和所述磁距离，对所述磁目标进行定位。

2.根据权利要求1所述的磁目标定位方法，其特征在于，在所述基于所述磁位点和所述磁距离，对所述磁目标进行定位之后，所述方法还包括：

确定所述磁探测阵列中的第一磁传感器测量得到的关于所述磁目标的第一磁场强度，其中，所述第一磁传感器为所述磁探测阵列中距离所述磁目标最近的磁传感器；

基于所述第一磁场强度和所述磁距离，确定所述磁目标的磁矩；

基于所述磁矩，对所述磁目标进行分类。

3.根据权利要求1所述的磁目标定位方法，其特征在于，所述基于所述磁场强度，确定关于所述磁目标的多阶磁场强度导数通过以下公式实现：

其中，Bⁿ表示所述磁目标的n阶磁场强度导数，B(n+1-p)表示所述磁探测阵列中各所述磁传感器测量得到的关于所述磁目标的所述磁场强度。

4.根据权利要求1或3所述的磁目标定位方法，其特征在于，所述多阶磁场强度导数包括三阶磁场强度导数，所述磁探测阵列至少包括四个磁传感器，所述磁探测阵列沿第一方向对所述磁目标进行探测，所述基于所述多阶磁场强度导数，确定所述磁目标在第一方向的磁位点，包括：

分别确定所述磁探测阵列中各所述磁传感器在所述第一方向的多个预设位点测量得到的关于所述磁目标的磁场强度；

基于所述磁目标的磁场强度，确定与所述磁目标对应的三阶磁场强度导数；

基于所述三阶磁场强度导数，以及与所述三阶磁场强度导数对应的所述预设位点，构建导数-位点图谱；

基于所述导数-位点图谱，确定与所述导数-位点图谱的导数峰值对应的位点，并将与所述导数峰值对应的位点作为所述磁位点。

5.根据权利要求4所述的磁目标定位方法，其特征在于，所述基于所述磁目标的磁场强度，确定与所述磁目标对应的三阶磁场强度导数通过以下公式确定：

其中，B³表示与所述磁目标对应的三阶磁场强度导数；B(4)表示所述磁探测阵列中以靠近所述磁目标一侧为起点，位于所述磁探测阵列中第四位的磁传感器测量得到的磁场强度；B(3)表示所述磁探测阵列中以靠近所述磁目标一侧为起点，位于所述磁探测阵列中第三位的磁传感器测量得到的磁场强度；B(2)表示所述磁探测阵列中以靠近所述磁目标一侧为起点，位于所述磁探测阵列中第二位的磁传感器测量得到的磁场强度；B(1)表示所述磁探测阵列中以靠近所述磁目标一侧为起点，位于所述磁探测阵列中第一位的磁传感器测量得到的磁场强度；h表示所述磁探测阵列中相邻磁传感器的距离。

6.根据权利要求1或3所述的磁目标定位方法，其特征在于，所述基于所述多阶磁场强度导数，确定所述磁目标在第二方向距离所述磁探测阵列的磁距离通过以下公式实现：

其中，Bⁿ表示所述磁目标的n阶磁场强度导数；B^n-1表示所述磁目标的n-1阶磁场强度导数；r表示所述磁距离。

7.根据权利要求2所述的磁目标定位方法，其特征在于，所述基于所述第一磁场强度和所述磁距离，确定所述磁目标的磁矩通过以下公式实现：

其中，B⁰表示所述第一磁场强度；r表示所述磁距离；M表示所述磁目标的磁矩。