[发明专利]一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法

说明书

本申请公开了一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法，用以在加工晶圆的过程中，避免干燥过程中的图案倒塌，从而提高晶圆良率。本申请提供的一种晶圆加工装置，包括：腔室；第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法。

背景技术

动态随机存储器(DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小以及深宽比越来越高，在干燥过程中容易导致图案(pattern)倒塌，影响晶圆良率。

发明内容

本申请实施例提供了一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法，用以在加工晶圆的过程中，避免干燥过程中的图案倒塌，从而提高晶圆良率。

本申请实施例提供的一种晶圆加工装置，包括：

腔室；

第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；

负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；

真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；

所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。

可选地，所述腔室内还设置有第二喷嘴，所述第二喷嘴用于供给惰性气体；

在所述晶圆的旋转方向上，所述第一喷嘴在所述第二喷嘴的前方。

可选地，所述负压腔室包括第一部分和第二部分；其中，在垂直于所述晶圆的方向上，所述第一部分位于所述第二部分上方，且在平行于所述晶圆的方向上，所述第一部分的投影区域位于所述第二部分的投影区域内。

可选地，所述装置还包括：

控制器，用于控制所述真空泵对所述负压腔室抽真空，以及控制所述负压腔室移动。

可选地，所述负压腔室内置真空计；

所述控制器还用于通过根据所述真空计的数值，调整所述真空泵的功率。

可选地，所述管道包括波纹管和/或直管。

可选地，所述装置还包括：步进电机；

所述控制器还用于通过控制所述步进电机带动所述波纹管和/或直管，控制所述负压腔室在平行于所述晶圆的平面上，和/或在垂直于所述晶圆的平面上移动。

可选地，所述装置还包括：

烘干装置，所述烘干装置设置于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热干燥。

可选地，所述烘干装置包括发光二极管LED灯。

可选地，所述控制器还用于：

根据所述第一喷嘴的位置，调整所述LED灯的温度变化，使得特定区域内的LED灯的温度高于其他位置处的LED灯的温度；其中，所述特定区域，包括所述第一喷嘴在垂直于所述晶圆的方向上的投影区域。

本申请实施例提供的一种晶圆加工控制方法，所述方法基于任一项所述的装置来实现，所述方法包括以下步骤：

控制所述装置中的真空泵开启；