[发明专利]一种晶圆加工装置及晶圆加工控制方法

权利要求书

1.一种晶圆加工装置，其特征在于，所述装置包括：

腔室；

第一喷嘴，设置于所述腔室内，且所述第一喷嘴用于向所述晶圆喷涂干燥剂；

负压腔室，所述负压腔室位于所述腔室内；

真空泵，所述真空泵位于所述腔室外，其中，所述真空泵与所述负压腔室之间通过管道相连；

所述负压腔室设置在垂直于所述晶圆的方向上，所述负压腔室由所述真空泵经过所述管道吸气，令所述腔室内部产生负压，从而降低通过所述第一喷嘴喷涂到晶圆上的干燥剂的表面压强。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述腔室内还设置有第二喷嘴，所述第二喷嘴用于供给惰性气体；

在所述晶圆的旋转方向上，所述第一喷嘴在所述第二喷嘴的前方。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述负压腔室包括第一部分和第二部分；其中，在垂直于所述晶圆的方向上，所述第一部分位于所述第二部分上方，且在平行于所述晶圆的方向上，所述第一部分的投影区域位于所述第二部分的投影区域内。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

控制器，用于控制所述真空泵对所述负压腔室抽真空，以及控制所述负压腔室移动。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述负压腔室内置真空计；

所述控制器还用于通过根据所述真空计的数值，调整所述真空泵的功率。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述管道包括波纹管和/或直管。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：步进电机；

所述控制器还用于通过控制所述步进电机带动所述波纹管和/或直管，控制所述负压腔室在平行于所述晶圆的平面上，和/或在垂直于所述晶圆的平面上移动。

8.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

烘干装置，所述烘干装置设置于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热干燥。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述烘干装置包括发光二极管LED灯。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述控制器还用于：

根据所述第一喷嘴的位置，调整所述LED灯的温度变化，使得特定区域内的LED灯的温度高于其他位置处的LED灯的温度；其中，所述特定区域，包括所述第一喷嘴在垂直于所述晶圆的方向上的投影区域。

11.一种晶圆加工控制方法，所述方法基于权利要求1～10任一项所述的装置来实现，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

控制所述装置中的真空泵开启；

按照预设参数列表，控制所述装置中的第一喷嘴、第二喷嘴、负压腔室的位置变化。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

按照预设参数列表，控制所述装置中的第二喷嘴的位置变化。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

按照预设参数列表，控制所述装置中的负压腔室的真空度。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述负压腔室的位置变化包括所述负压腔室在平行于所述晶圆的方向上的移动，和/或所述负压腔室在垂直于所述晶圆的方向上的移动。

15.一种计算设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储程序指令；

处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序执行权利要求11至14任一项所述的方法。