[发明专利]功率芯片及多功率芯片的联接结构在审
| 申请号： | 202210098686.7 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114743943A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 邱颖斌;周广楠;李湛明 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/07;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 姬淑银 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 芯片 联接 结构 | ||
1.一种功率芯片，其特征在于，包括漏极pad、源极pad和栅极pad；
所述漏极pad为键合件围成的第一三角形电极；
所述源极pad为键合件围成的第二三角形电极，其中第一三角形电极和第二三角形电极有一条公共边；
所述栅极pad设置在第二三角形电极中，且设置在公共边的对角内。
2.如权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，还包括供电电压pad，所述供电电压pad设置在栅极pad和公共边的区域之间。
3.如权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述第一三角形电极和第二三角形电极为直角三角形，所述公共边为直角三角形的斜边。
4.一种多功率芯片的联接结构，其特征在于，包括多个如权利要求1～3任一所述的功率芯片，
多个功率芯片的漏极pad互相连接形成主漏极电极，多个功率芯片的源极pad互相连接形成主源极电极，多个功率芯片的栅极pad互相连接形成主栅极电极；
多个功率芯片对称设置。
5.如权利要求4所述的多功率芯片的联接结构，其特征在于，包括2个功率芯片，2个功率芯片正面键合且对称。
6.如权利要求4所述的多功率芯片的联接结构，其特征在于，包括4个功率芯片，4个功率芯片正面键合且对称。
7.如权利要求6所述的多功率芯片的联接结构，其特征在于，所述4个功率芯片的栅极pad集中设置在对称轴两侧。
8.如权利要求4所述的多功率芯片的联接结构，其特征在于，包括8个功率芯片，所述8个功率芯片分为第一功率芯片组和第二功率芯片组；
所述第一功率芯片组和第二功率芯片组均4个功率芯片，4个功率芯片正面键合且对称；
所述第一功率芯片组和第二功率芯片组布局设置相同，
所述第一功率芯片组和第二功率芯片组面对面键合。
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